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薄膜淀积 热氧化 生长机制 硅热氧化的基本模型 薄氧化膜生长 介质淀积 二氧化硅－淀积法 二氧化硅－特性 二氧化硅－台阶覆盖 二氧化硅－磷硅玻璃回流 氮化硅 低介电常数材料－Low K 低介电常数材料 高介电参数材料－High K 高介电常数材料 多晶硅淀积 金属化 物理气相沉积－PVD 化学气相沉积－CVD 铝镀膜 电迁移 铜镀膜 嵌入技术 使用双层嵌入法作铜导线的工艺顺序 化学机械抛光-CMP 金属硅化物 1.1-2.0 干燥凝胶（多孔二氧化硅） 2.1 氟化无定形碳 2.6 PAE（聚芳香醚） 2.7 SiLK（芳香族碳氢聚合物） 旋转涂布聚合物 2.7-2.9 聚酰亚胺 2.8-3.0 HSQ/MSQ 1.93 特氟隆－AF（聚四氟乙烯） 2.0-2.4 氟化碳氢化合物 2.7-3.0 黑金刚石（掺碳氧化物） 2.4-2.5 聚对二甲苯氟 2.6 聚对二甲苯氮 3.5-4.0 氟硅玻璃（FSG） 气相淀积聚合物 介电常数 材料 分类 High K在ULSI器件电路中，尤其是DRAM有使用的必要性。DRAM的存储电容必须维持在40fF左右才能正常工作。一般会选择一个最小厚度，且保证漏电流不超过最大容许值，而击穿电压则不低于最小容许值。电容的面积可通过堆叠或沟槽的方式增加。然而对平面而言，面积A应水DRAM密度的提升而降低，因此必须提供薄膜的介电常数。 1000 Pb（Zr0.