材料科学基础位错反应和扩展位错.pptVIP

第 三 章 晶 体 缺 陷 （六） ——实际晶体结构中的位错 4. 位错反应(dislocation reaction) ： 分解后的这两个不全位错位于同一滑移面上，其柏氏矢量夹角是60°，它们是互相排斥的，有分开的趋势，在两个不全位错之间夹了一片层错区。 通常我们将这种两个不全位错夹一个层错区的组态称之为扩展位错。 为了降低两个不全位错间的层错能，力求把两个不全位错的间距缩小，则相当于给予两个不全位错一个吸力，数值等于层错的表面张力γ（即单位面积层错能）。 两个不全位错间的斥力则力图增加宽度，当斥力与吸力相平衡时，不全位错之间的距离一定，这个平衡距离便是扩展位错的宽度 d。 运动过程中，若前方受阻，两个偏位错束集成全位错。当杂质原子或其它因素使层错面上某些地区的能量提高时，该地区的扩展位错就会变窄，甚至收缩成一个结点，又变成原来的全位错，这个现象称为位错的束集。 束集可以看作位错扩展的反过程。 由于扩展位错只能在其所在的滑移面上运动，若要进行交滑移，扩展位错必须首先束集成全螺位错，然后交滑移到 面上，重新分解成新的扩展位错，继续运动。 (1) bcc 滑移面有{111} {112} {113} 单位位错 b = a/2〈111〉bcc中易发生交滑移，没有扩展位错，没有位错分解 (2) hcp 全位错 (3)关于离子晶体的位错、共价晶体中的位错、高分子晶体中的位错请参考教材及有关资料。 在外力作用下，扩展位错收缩成原来的全位错的过程称为束集。 （2）扩展位错的束集 总结： 在实际晶体中，由于扩展位错的形成，螺位错的交滑移比全位错的交滑移要困难得多，必须经束集后才能进行。晶体层错能越低，扩展位错的宽度越大，束集越困难，不易交滑移，因此晶体的变形抗力越大。 （3）扩展位错的交滑移 扩展位错的交滑移过程 （3）位错网络 Dislocation network 实际晶体中存在几个b位错时会组成二维或三维的位错网络 设： 面上有扩展位错： 面上有扩展位错： 在相交滑移面上两个扩展位错的领先位错相遇而成 即（a）－BDC面上： 即（d）－ABC面上： 4. 面角位错 (L-C位错、压杆位错) 反应过程—— 滑移面： Lomer-Cottrell位错，面角位错 4. 面角位错 (L-C位错、压杆位错) 该扩展位错在各自的滑移面上相向移动，当扩展位错中的一个不全位错到达交线BC时，发生位错反应： ?B + B? ? ?? 新位错1/6[110]的柏氏矢量在（001）面上，滑移面是（001），因此是固定的纯刃型位错。 另外，它还带着两片分别位于（111）和（11－1）面上的层错以及两个不全位错，在两个（111）面的面角上，这种由于三个不全位错和两片层错构成的位错组态称为Lomer－Cottrell位错 另外，它还带着两片分别位于（111）和 面上的层错以及两个不全位错，在两个（111）面的面角上，这种由于三个不全位错和两片层错构成的位错组态称为Lomer－Cottrell位错 面心立方结构中，在 和 面上有两个全位错b1和b2： 4. 面角位错 (L-C位错、压杆位错) 两个全位错b1和b2发生分解，形成扩展位错： 4. 面角位错 (L-C位错、压杆位错) 在外力作用下，两个扩展位错向两个滑移面的交线处滑移。两个领先不全位错b12和b21在交线[110]处相遇，发生合成反应： 面角位错 反应生成两面一夹角组态的面角位错。 4. 面角位错 (L-C位错、压杆位错) 例 题 一 若面心立方晶体中有 的单位位错及 的不全位错，此二位错相遇后发生位错反应。问： 1、此位错反应能否进行？为什么？ 2、写出合成位错的柏氏矢量，并说明合成位错的性质。 解: ①几何条件 ②能量条件 ③ 属于弗兰克不全位错，b与层错面和位错线垂直，故是纯刃型。 例 题 二 试分析在FCC中，下列位错反应能否进行？并指出其中三个位错的性质类型？反应后生成的新位错能否在滑移面上运动？ 在A1的单晶体中，若(111)面上有一位错 与 面上的位错 发生反应时， (1) 写出上述位错反应方程式，并用能量条件判明位 错反应进行的方向， (2) 说明新位错的性质； 例题 三 解：(1) 位错反应可以向右进