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实际MOS的平带电压及C-V特性 氧化物电荷及其对C-V特性的影响 1、界面陷阱电荷（interface trapped charge） 硅（100）面， 约 ， 硅（111）面， 约 。 2、氧化物固定电荷（fixed oxide charge） 位于 界面约3nm的范围内，这些电荷是固定的，正的。 （100）面， 约为 ， （111）面， 约为 ，因为（100）面的 和 较低，故硅MOSFET一般采用（100）晶面。 3、氧化物陷阱电荷（oxide trapped charge） 大都可以通过低温退火消除。 4、可动离子电荷（mobile ionic charge） 诸如钠离子和其它碱金属离子，在高温和高压下工作时，它们能在氧化层内移动。 氧化物中电荷对C-V特性的影响 克服硅－二氧化硅界面电荷和二氧化硅中电荷影响所需要的平带电压： 如果氧化层中正电荷连续分布，电荷体密度为 ，则 总的平带电压 其中 称为有效面电荷。 实际的MOS阈值电压和C-V曲线 平带电压 阈值电压 第一项是，为消除半导体和金属的功函数差的影响，金属电极相对于半导体所需要加的外加电压； 第二项是为了把绝缘层中正电荷发出的电力线全部吸引到金属电极一侧所需要加的外加电压； 第三项是支撑出现强反型时的体电荷 所需要的外加电压； 第四项是开始出现强反型层时，半导体表面所需的表面势。 实际MOS的C-V曲线（一） 界面态对C-V特性的影响 界面态的性质 界面态的性质 B-T实验：测量离子沾污程度 例题 P型硅衬底MOS结构，衬底掺杂浓度为Na=1014，氧化层厚度为tox=500?，栅是n+多晶硅，设QSS=1010cm-2,确定平带电压及值阈电压？ 解： 例题：P型衬底，Na＝1014cm-3，氧化层厚度500?，φms=-0.83V。求阈值电压VT，画出能带图,氧化层上压降是多少？ 思考题 理想的低频C-V在强积累和强反型的电容值等于栅氧化层电容Cox，但在某些实验中观察到如下一些现象，分析其可能的物理机制： C-V曲线出现滞回现象； C-V曲线在耗尽区的斜率变缓； 栅电极为掺杂多晶硅时，反型层电容下降；如何减弱和消除该效应； 栅电极为金属栅，但强反型区电容值略低于强积累区电容；如何减弱该效应； 假定nMOS电容结构的金属栅电极的功函数为M，半导体Si的亲和势为，衬底掺杂浓度为Nd（功函数为S），栅氧化层厚度为tox。在制备nMOS电容时氧化层中形成密度为Qf的正的固定电荷。 假设该正的固定电荷形成在氧化层与Si界面处，写出其平带电压表达式，示意画出其平衡能带图； 如果该正的固定电荷形成在氧化层中部即1/2tox处，平带电压如何变化？ 比较固定电荷分别位于界面和氧化层中部时的低频C-V特性曲线； 假设在氧化层与Si衬底界面存在呈U型连续分布的施主型界面态（禁带中央界面态密度极大），示意画出其C-V特性曲线（与不存在界面态比较） MOS结构的Si与氧化层界面存在连续分布的界面态，假设在禁带中本征费米Ei能级以上的界面态为类施主型，以下的是类受主型，讨论分析界面态对CV特性曲线的影响（以理想情形为标准画图说明）；如果在禁带中本征费米Ei能级以上的界面态为受主类型，以下的是类施主型，界面态对CV特性曲线的影响又如何（以理想情形为标准画图说明）？ 习题 设 ，画出n-Si衬底的MOS电容分别在平衡、平带、积累、耗尽、反型情形的能带图及理想的高频和低频CV曲线，并画出相应的电荷分布及电场分布。 设氧化层厚度为1?m的Si MOS结构的p型衬底的掺杂浓度分别为N＝1015/cm3和1016/cm3，比较这两种结构的耗尽层电容和MOS电容的极小值。 从物理上说明随氧化层厚度及掺杂浓度的变化趋势。计算 ， 的N型Si MOS结构的值和德拜长度。 在 MOS结构中，减薄氧化层厚度对C－V曲线有何影响？如果改变衬底掺杂浓度，对