N-Al共掺ZnO薄膜的p型传导特性.pdfVIP

第 26 卷 　第 4 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 4 2005 年 4 月 　　 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S 　　Ap r . ,2005 NAl 共掺 ZnO 薄膜的 p 型传导特性 吕建国　叶志镇 　诸葛飞 　曾昱嘉 　赵炳辉 　朱丽萍 (浙江大学硅材料国家重点实验室 , 杭州 　3 10027) ( ) 摘要 : 利用直流反应磁控溅射技术制得 NAl 共掺的p 型 ZnO 薄膜 ,N2 O 为生长气氛. 利用 X 射线衍射 XRD , ( ) Hall 实验 ,X 射线光电子能谱 XP S 和光学透射谱对共掺 ZnO 薄膜的性能进行研究. 结果表明 ,薄膜中 Al 的存在 显著提高了N 的掺杂量 ,N 以NAl 键的形式存在. NAl 共掺 ZnO 薄膜具有优 良的 p 型传导特性. 当 Al 含量为 0 15wt %时 ,共掺 ZnO 薄膜的电学性能取得最优值 ,载流子浓度为 252 ×1017 cm - 3 , 电阻率为 573Ω ·cm , Hall 迁 2 ( ) 移率为 043cm / V ·s . NAl 共掺 p 型 ZnO 薄膜具有高度 c 轴取向,在可见光区域透射率高达 90 %. 关键词 : NAl 共掺 ZnO 薄膜 ; p 型传导 ; N2 O 生长气氛 ; 直流反应磁控溅射 PACC : 6855 ; 7865 ; 8115C 中图分类号 : TN 3042 + 1 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 中 ,NAl 共掺可能是一种更好的实现 p 型 ZnO 的 1 　引言 途径[ 11 ] . 我们利用 N H3 为 N 源已经在 NAl 共掺 p 型 ZnO 薄膜的研究方面取得了较好的结果[ 12 ] :载 ZnO 是一种新型的 Ⅱ Ⅵ族宽禁带化合物半导 流子浓度为 17 ×1016 cm - 3 , 电阻率为 278Ω ·cm , 体材料 ,禁带宽度为 337eV . 相对于 GaN , Zn Se 等 2 ( ) Hall 迁移率为 132cm / V ·s . 宽禁带半导体材料 , ZnO 具有更高的激子束缚能 , 本文报道 了利用直流反应磁控溅射技术 , 在 室温下为 60meV ,激子增益也可达到 320cm - 1 , 是 N2 O 的生长气氛下制备出 NAl 共掺的 ZnO 薄膜 , 一种理想的短波长发光器件材料[ 1 ,2 ] ,在 L ED s ,L D s 具有优良的p 型传导特性. 相对于 N H3 气氛下生长 等领域有着很大的应用