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4 场效应管放大电路 场效应晶体管简称 FET (Field Effect Transistor)，是一种电压控制器件，能够以输入电压控制输出电流；与双极晶体管场相比，效应管的输入输出电阻要高得多，而且几乎不索取输入电流。按照结构，场效应晶体管可分为结型和MOS两大类。 4.1 结型场效应晶体管 结型场效应管简称JFET (Junction FET)，其结构如下;2. 结型场效应管的工作原理 结型场效应管中的导电沟道由杂质半导体构成，导通时电阻较小。对于N沟道结型场效应管，工作时常常在栅极和源极之间施加负电压（ vGS 0），这样一方面使得结型场效应管具有很高的输入电阻，另一方面又加强了栅极与沟道之间的耗尽层。当栅极电压较小时，导电沟道的电阻随负栅压的增长而变化。;当栅极电压 vGS 达到一定阈值时，导电沟道被扩大的耗尽层夹断，称此时的栅极电压为夹断电压VP。夹断后的场效应管源极和漏极表现出很大的电阻，对漏极加有的电压表现出恒流特性；夹断后的漏极电流主要由栅压 vGS 确定。;除了栅压 vGS 对漏极电流的控制作用，漏极到源极的电压 vDS 也会对漏极电流 iD 产生影响，这是因为漏源电压 vDS 随导电沟道的分布会使栅极相对于沟道的电位也产生分布，当漏源电压改变时栅极对沟道的电位分布也相应改变，从而影响漏极电流。;随着漏源电压的增长，漏极附近的导电沟道逐渐缩小直至出现夹断，称为