半导体材料电学性能.pptVIP

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  • 2017-06-17 发布于湖北
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半导体材料电学性能

PN结的单向导电性 1. PN 结加正向电压(正向偏置) PN 结变窄 P接正、N接负 外电场 IF 内电场被削弱,多子的扩散加强,形成较大的扩散电流。 PN 结加正向电压时,PN结变窄,正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。 内电场 P N - - - - - - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + + + + + + + + – PN 结变宽 2. PN 结加反向电压(反向偏置) 外电场 内电场被加强,少子的漂移加强,由于少子数量很少,形成很小的反向电流。 IR P接负、N接正 – + PN 结加反向电压时,PN结变宽,反向电流较小,反向电阻较大,PN结处于截止状态。 温度越高少子的数目越多,反向电流将随温度增加。 内电场 P N + + + - - - - - - + + + + + + + + + - - - - - - - - - + + + + + + - - - 2.4 超导性 * 什么是超导体? 1. 零电阻 将超导体冷却到某一临界温度(TC)以下时电阻突然降为零的现象称为超导体的零电阻现象。不同超导体的临界温度各不相同。1911年昂纳斯首先发现,汞在低于临界温度4.15K时电阻变为零。 2. 完全抗磁性

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