半导体器件原理与工艺(器件)1.ppt

瞬态关断特性-2 载流子的消失有一定时间: 复合 漂移 存储延迟时间 考虑p+n突变结 电流连续性方程： 存储延迟时间-1 从0+到ts积分: 存储延迟时间-2 少子寿命的测量 记录器件的瞬态关断过程中的存储延迟时间, 然后就可用前式计算 瞬态开启特性 结电压从反偏迅速到0偏, 再正偏 i(t) IF t xn Pno 瞬态开启特性-1 分离变量, 积分 瞬态开启特性-2 稳态时 上升过程中: 小结 瞬态关断特性 在准中性区储存的少子必须消除, 需要时间, 导致PN结上电压不能突变 瞬态开启特性 准中性区的少子从“欠”到“过”,需要时间, 导致PN结上电压不能突变 * * * * * * * 电子电流 P型侧 PN结电流 PN结电流与温度的关系 载流子电流 准中性区多子电流 与理想情况的偏差 大注入效应 空间电荷区的复合 空间电荷区的产生与复合 正向有复合电流 反向有产生电流 空间电荷区的产生与复合-1 反向偏置时, 正向偏置时, 计算比较复杂 VA愈低，IR-G愈是起支配作用 VA?Vbi时的大电流现象 串联电阻效应 q/kT Log(I) VA VA?Vbi时的大电流现象-1 大注入效应 大注入是指正偏工作时注入载流子密度等于或高于平衡态多子密度的工作状态。pn≥nno VA?Vbi时的大电流现象-2 VA?Vbi时的大电流现象-3 VA越大, 电流上升变缓 P