半导体物理-第三章-2012.ppt

第三章 热平衡态半导体中载流子的统计分布 主要内容 §3.1 热平衡状态 §3.2 状态密度 §3.3 热平衡态时电子在量子态上的分布几率 §3.4 热平衡时非简并半导体的载流子浓度 §3.5 本征半导体的费米能级和载流子浓度 §3.6 非简并杂质半导体的载流子浓度 §3.7 简并半导体 §3.2 状态密度 状态密度 状态密度是能带中能量E附近单位能量间隔内的量子态数目 能带中能量E+dE之间有dZ个量子态，则状态密度为： kx，ky，kz在空间取值是均匀分布的，k空间每个允许的k值所占体积为 ，那么允许k值的密度为 1/(1/V)=V 。 由于每个k值可容纳自旋方向相反的两个电子，所以考虑自旋k空间电子的量子态密度是2V。 半导体中常见的是费米能级EF位于禁带之中，并且满足 Ec-EFk0T或EF-Evk0T的条件。 因此对导带或价带中所有量子态来说，电子或空穴都可以用玻耳兹曼统计分布描述。 由于分布几率随能量呈指数衰减，因此导带绝大部分电子分布在导带底附近，价带绝大部分空穴分布在价带顶附近，即起作用的载流子都在能带极值附近。 通常将服从玻耳兹曼统计规律的半导体称为非简并半导体；（满足 E - EF＞＞ kT 或 EF - E ＞＞ kT；） 而将服从费米统计分布规律的半导体称为简并半导体。 三、