半导体物理_第7讲.ppt

少数载流子脉冲在电场中的漂移 若加一均匀的电场，则连续性方程为 上式表明，加上外加电场，光脉冲停止后，整个平衡载流子的向样品的负端运动。 牵引长度介绍 稳态时，G＝0，dE/dx=0. 电场较大时，扩散电流忽略，有 牵引长度介绍 电场较弱时，漂移电流可以忽略，则LP（E）LP,有 连续性方程 反映了半导体中少数载流子运动的普遍规律。是研究半导体器件原理的基本方程之一。 陷阱效应 稳态时，有 小注入时，能级上的载流子的积累可由下式导出。 陷阱效应 只考虑电子时，有 设rnrp,即为电子陷阱，有 陷阱效应 结论 局部能级作为施主，受主，复合中心还是陷阱主要由其能级位置，数量以及对两种载流子俘获系数大小，及温度有关。常见的是少子陷阱。 陷阱效应 少子的意义 N半：n0大＝＞Nt大＝＞Δnt大 P半: n0小＝＞Nt不必太大＝＞Δnt较大 所以少数载流子的陷阱效应比多数载流子更加明显。 陷阱效应 陷阱能级的位置 电子陷阱，费米能级EF以上的能级，且又靠近EF，陷阱效应显著 陷阱作用 不参与导电，但间接影响附加电导率 §5.4　非平衡载流子的扩散和漂移 扩散：完全是由粒子浓度不均匀所引起的，是粒子的有规则运动，且与粒子的无规则运动密切相关。 扩散流密度：单位时间通过单位面积的粒子数。 Sn,Sp为电子空穴扩散流密度。 Dn,Dp为电子空穴扩散系数。 扩