半导体物理-第六章-2012.ppt

半导体物理SEMICONDUCTOR PHYSICS 第六章 p-n结 §1 p-n结及其能带图 §2 p-n结的电流电压特性 §3 p-n结电容 §4 p-n结击穿 §5 p-n结隧道效应 § 6.1 p-n结及其其能带图 (1)?????? p-n结的形成 (2)?????? p-n结的基本概念 6.1 pn结及其能带图 6.1.1 pn结的形成和杂质分析 ★ p-n结的形成 p-n结的形成 ?控制同一块半导体的掺杂,形成pn结 (合金法; 扩散法; 离子注入法等) ?在p(n)型半导体上外延生长n(p)型半导体 同质结和异质结 ?由导电类型相反的同一种半导体单晶材料组成的pn结--同质结 ?由两种不同的半导体单晶材料组成的结—异质结 工艺简介: ? 合金法—合金烧结方法形成pn结 ? 扩散法—高温下热扩散,进行掺杂 ?离子注入法—将杂质离子轰击到半导体基片中掺杂分布主要由离子质量和注入离子的能量决定（典型的离子能量是30-300keV,注入剂量是在1011-1016离子数/cm2范围），用于形成浅结 杂质分布的简化: ?突变结 ?线性缓变结 ★ p-n结的基本概念 ①空间电荷