半导体物理器件期末总结2011
半导体器件物理 常州信息职业技术学院 第1章 半导体中的电子状态 常见的半导体材料(单晶、多晶、非晶、第一、二、三代材料) 常见半导体材料的晶格结构(金刚石、闪锌矿、钎锌矿)、制备器件常用晶圆的晶面指数 原子的能级、能级图(泡利不相容原理、玻耳兹曼分布律、玻尔频率条件) 晶体中的电子状态(共有化运动) 导体、绝缘体、半导体的能带(导带、价带、禁带、导带底、价带顶、禁带宽度、直接带隙型、间接带隙型) 半导体中载流子(电子、空穴) 有效质量(意义、内外层区别、导带底、价带顶) 第2章 半导体中杂质和缺陷能级 本征半导体、本征激发、本征载流子浓度 杂质半导体(替位式杂质和间隙杂质、n型半导体和p型半导体、施主杂质和受主杂质及其电离过程、杂质补偿作用、浅能级杂质和深能级杂质) 半导体中的缺陷能级(点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷、空位、层错、位错) 第3章 半导体中的载流子的统计分布 状态密度 费米能级和载流子统计分布(费米能级、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度) 热平衡状态、热平衡载流子、本征半导体载流子浓度 杂质半导体载流子浓度(与温度关系) 第4章 半导体的导电性 载流子的漂移运动 (迁移率) 载流子的散射(电离杂质散射、晶格振动散热) 迁移率与杂质浓度和温度的关系 电阻率与杂质浓度和温度的关系) 第5章 非平衡载流子 非平衡载流子的注入(热平衡状态、非平衡状态、非平衡载流子
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