半导体物理_第七章.pptVIP

第七章 PN结与金属－半导体接触本章学习要点：1. 了解PN结的构成及空间电荷区的概念；2. 掌握零偏状态下PN结的特性，例如内建势垒高度、  内建电场以及空间电荷区宽度等；3. 掌握反偏状态下PN结的空间电荷区宽度、内建电场 以及PN结电容特性；4. 掌握金属－半导体接触的整流特性；5. 了解正偏条件下PN结与肖特基接触的电流－电压特性6. 理解金属－半导体欧姆接触的形成机理； §7.1 PN结的基本结构1. PN结的构造 从原理上说，PN结就是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。 2. 制造PN结的方法：（1）外延方法：突变PN结；（2）扩散方法：缓变PN结；（3）离子注入方法：介于突变结与缓变结之间； 3.PN结空间电荷区的形成： 由于PN结两侧存在电子和空穴的浓度梯度，因此电子和空穴将分别由N型区和P型区向对方扩散，同时在N型区中留下固定的带正电荷的施主离子，在P型区中则留下固定的带负电荷的受主离子。 这个固定的正负电荷区即为空间电荷区，空间电荷区中将形成内建电场，内建电场引起载流子的漂移运动，载流子的漂移运动与载流子的扩散运动方向相反，最后二者达到平衡。 空间电荷区及内建电场的形成过程示意图 平衡状态的PN结能带图具有统一的费米能级 §7.2 零偏状态下的PN结1. 内建势