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半导体低维物理 PN节电容 6.3.1 Pn 节电容的种类 2. 扩散电容 6.3.2 突变结势垒电容 2. 突变结的势垒宽度 3. 突变结势垒电容 6.3.3 线性缓变结的势垒电容 * * 1. 势垒电容 正向偏压减小时，势垒区增大 原因：n区的电子或p区空穴从势垒区抽出，空间电荷数增多。 效果：相当于势垒区“取出”电子或空穴。 势垒区的空间电荷数随外加偏压发生变化，等价于电容器的充、放电作用。 正向偏压增大时，势垒区减小 原因： n区的电子或p区空穴中和 势垒区电离施主或电离受主 效果：相当于在势垒区“储存”了电子或空穴。 正向偏压时，空穴(电子)注入n(p)区，在势垒边界处，积累非平衡少数载流子。 正向偏压增大时，势垒区边界处积累的非平衡载流子增多； 正向偏压减小时，则相应减小。 由于正向偏压增大或减小，引起势垒区边界处积累的电荷数量增多或减小产生的电容称为扩散电容。 势垒电容和扩散电容均随外加偏压的变化而变化，均为可变电容 微分电容 pn结在固定直流偏压V作用下，叠加一个微小的交流电容dV时，引起电荷变化dQ, 该直流偏压下的微分电容为 1. 突变结势垒中电容的电场、电势分布 耗尽层近似及杂质完全电离时，势垒区电荷密度： 势垒宽度： 整个半导体满足电中性条件： 杂质浓度高电荷宽度小，杂质浓度低电荷宽度大 突变结势垒区的泊松方程为 将上式积分一次得 由边界条件可得：