半导体物理2013(第四章).pptVIP

常以散射概率P来描述散射的强弱，它代表单位时间内一个载流子受到散射的次数。浓度为Ni的电离杂质对载流子的散射概率Pi与温度的关系为： 电离杂质浓度越高，载流子遭受散射的机会越多；温度越高，载流子热运动平均速度越大，载流子更易掠过电离杂质，偏转就小，散射概率越小。 §4.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系 §4.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系 §4.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系 §4.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系 §4.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系 §4.5 强电场下的效应 §4.5 强电场下的效应 强电场效应的产生原因 无电场 热运动的载流子与热振动的晶格之间通过发 射或吸收声子交换能量，载流子和晶格各自的系 统能量相等，达到热平衡状态。 弱电场 载流子从电场中获得能量，载流子向晶格发 射的声学波声子数大于从晶格吸收的声子数，从 而向晶格传递能量，直至载流子能量等于晶格能 量，两者处于热平衡状态。 §4.5 强电场下的效应 强电场 载流子从电场中获得大量能量，载流子以发射声学波声子的方式不能及时地将能量传递给晶格，载流子的能量高于晶格系统，载流子和晶格系统之间是非平衡状态。 温度是平均动能的量度，既然载流子的能量大于晶格系统的能量，人们便引进载流子的