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半导体物理基础 PN结

Chap2 PN 结 PN结制作工艺过程 采用硅平面工艺制备PN结的主要工艺过程 PN结制作工艺过程 PN结制作工艺过程 PN结是几乎所有半导体器件的基本单元。除金属-半导体接触器件外,所有结型器件都由PN结构成。PN结本身也是一种器件-整流器。PN结含有丰富的物理知识,掌握PN结的物理原理是学习其它半导体器件器件物理的基础。 PN结制作工艺过程 由P型半导体和N型半导体实现冶金学接触(原子级接触)所形成的结构叫做PN结。 任何两种物质(绝缘体除外)的冶金学接触都称为结(junction),有时也叫做接触(contact). PN结制作工艺过程 由同种物质构成的结叫做同质结(如硅),由不同种物质构成的结叫做异质结(如硅和锗)。 由同种导电类型的物质构成的结叫做同型结(如P-硅和P-型硅、P-硅和P-型锗),由不同种导电类型的物质构成的结叫做异型结(如P-硅和N-硅、P-硅和N-锗)。 PN结制作工艺过程 因此PN结有同型同质结、同型异质结、异型同质结和异型异质结之分。 广义地说,金属和半导体接触也是异质结,不过为了意义更明确,把它们叫做金属-半导体接触或金属-半导体结(M-S结)。 PN结制作工艺过程 氧化工艺: 1957年人们发现硅表面的二氧化硅层具有阻止杂质向硅内扩散的作用。这一发现直接导致了硅平面工艺技术的出现。 在集成电路中二氧化硅薄膜的作用主要有以下五条: (1)对杂

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