半导体物理复习-2014.ppt

第*页 2012年12月17日星期一 主要内容： 载流子的漂移运动 迁移率 载流子的散射 迁移率与杂质浓度和温度的关系 电阻率与杂质浓度和温度的关系 强场下的效应 热载流子 多能谷散射 第*页 2012年12月17日星期一 4、半导体中主要的两种散射机构是什么？在有多种散射机构存在的情况下，为什么迁移率主要由自由时间短的机理决定？ （2006） 9、（16分）在T=300K下，一N型半导体Si样品，测得的电阻率为0.1?-cm。 （1）求此时的电子浓度和空穴浓度（查图）。 （2）若在此样品中，再掺入9?1016cm-3P型杂质，求此时样品的电阻率、多子浓度和少子浓度。并求出此时多子的迁移率（查图）。（2006） 第*页 2012年12月17日星期一 迁移率与杂质和温度的关系 总的散射几率 平均自由时间 同时存在多种散射机构时，哪种起主要作用？ 第*页 2012年12月17日星期一 11、（13分） 1） 什么是载流子的迁移率？影响迁移率的主要散射机理有几种。讨论载流子类型、掺杂和环境温度对迁移率的影响关系。 2） 论述用霍尔效应测量载流子迁移率的实验方法。(2010) 第*页 2012年12月17日星期一 第五章、 非平衡载流子（ Excess Carriers）