半导体器件物理第五章.ppt

半导体器件物理第五章

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Semiconductor Devices §5.9 短沟道MOSFET 由于短沟道效应使器件的工作情况复杂化并使器件性能变坏。因此,应该讨论短沟道效应的机理,以设法消除或减小这种效应,从而使几何上的短沟道器件能够保持“电学上”的长沟道特性。 1.长沟道器件的最小沟道长度限制 为了防止短沟道效应,必须了解长沟道特性消失的最小沟道长度限制。标志长沟道特性有两方面: 一是当VDS?3kT/q 后,弱反型漏电流ID与VDS无关; 二是漏电流ID与1/L成正比。 按上述标准,我们确定在漏电流ID随1/L增加而上升的过程中,当ID增大到偏离ID?1/L的线性关系10?的沟道长度为最小沟道长度Lmin;或规定?ID/ID增加10%时的沟道长度为Lmin, * * Semiconductor Devices 经过研究表明,具有长沟道特性的最小沟道长度 : 式中,?=rjd(XS+XD)2,rj表示漏源结深,(XS+XD)表示漏源耗

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