半导体激光器的主要性能.ppt

的电阻 1欧），L1为引线电感（1-2nH），Cs为旁路电容（0.3-1pF）。 选择并控制Cs和L1可明显抑制类谐振现象。 4.5.7 半导体激光器的热特性 引发机制： 在半导体激光器中，由于不可避免的存在着各种非辐射复合损耗、自由载 流子吸收等损耗机制，使其外微分量子效率只能达到20%-30%，意味着 相当部分注入的电功率转换成了热量，引起激光器的温升。结果导致使 LD的阈值电流增大、发射波长红移、模式不稳定、增加内部缺陷、并严 重影响器件的寿命。 解决办法： 1）加风扇或者冷水循环降温； 2）使用帕尔贴半导体制冷器。 （通过控制帕尔贴制冷器的工作电流实现LD的温度稳定，见下图） 3.8 半导体激光器的可靠性 二、可靠性试验 为保证LD在应用中能有较长的工作寿命，生产厂家必须按照规 范标准对LD进行一系列例行试验。诸如机械振动、冲击、环境 方面的潮湿、静电、高低温循环等。重要的一条是持续较长时 间的寿命（老化）试验。 第四章 半导体激光器件 4.1 异质结半导体激光器 4.2 量子阱半导体激光器 4.3 垂直表面发射激光器 4.4 分布反馈半导体激光器 4.5 半导体激光器的主要性能 4.6 半导体激光器调制及与光纤的耦合 4.5 半导体激光器的主要性能 1、阈值特性 2、效率 3、空间模式 4、纵模 5、线宽 6、 动态特性 7、 热特性 8、 可靠性 4