半导体物理学-微电子器件基础-第二章习题解答.pptVIP

第二章 习题解答参考 2.1 理想半导体是一种模型，是研究的出发点。在绝对零度下，理想半导体的导带为空（没有电子），价带为满带（没有空穴），所以没有载流子。 实际半导体与理想半导体的主要区别是： 1、在一定温度下，半导体格点原子不是静止在平衡位置上，而是围绕其平衡位置振动，热统计涨落使部分原子迁移，形成空位、间隙基质原子等本征缺陷。理想半导体忽略本征缺陷。 2、实际半导体总存在一定种类、一定量的杂质。而理想半导体忽略杂质存在。 3、实际半导体中存在各种缺陷（空位、间隙原子、位错、层错等），而理想半导体忽略缺陷存在。 2.2 As（砷）是5价元素，将其掺杂到半导体锗晶体中，砷占据格点位置，（替位式杂质），砷的4个价电子与最近邻4个锗原子形成共价键，剩余1个价电子受到砷离子（除该价电子以外形成的砷离子）的轻微束缚，只要比较小的能量就可以摆脱束缚（电离），成为自由电子，表现出施主性，掺入一定浓度的砷杂质，使半导体锗的导带电子浓度大大增加，远大于价带空穴浓度，使半导体成为N型半导体。 As Ge + 束缚电子 砷离子 释放到导带的电子 施主电离 施主能级 + 锗晶体中砷杂质性质的能带图表示，　 2.5 施主杂质和受主杂质在提供有效载流子方面具有的相互抵消作用的性质称为杂质补偿。实际半导体的导电类型、载流子（导带电子、价带空穴）浓度由杂质补偿决定，半导体的特性参数（迁移率、寿命等）