AlAs／GaAs分布布拉格反射镜(DBR)的反射谱拟合及优化生长.pdfVIP

维普资讯 第34卷 第6期 人 工 晶 体 学 报 Vo1．34 No．6 2005年 12月 JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTAI．S Deceml~r．2005 AIAs／GaAs分布布拉格反射镜 (DBR) 的反射谱拟合与优化生长 张冠杰 ，舒永春 ，皮 彪 ，姚江宏 ，林耀望 ， 舒 强，刘如彬，王 占国 ，许京军 (1．天津市南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室，天津300071； 2．中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室，北京 100083) 摘要：对分布布拉格反射镜(DBR)的原理和特征进行了分析，使用传输矩阵方法计算了不同对数GaAs／AIAs反射 镜的反射率曲线。利用分子束外延(MBE)设备生长了波长为920rim和980nm的半导体多层膜 DBR反射镜，分析 了实验测得的反射谱与理论拟合曲线之间的差异及其产生原因，实现了材料的优化生长，获得了反射率大于99％、 中心波长和带宽接近理论计算值的DBR材料。该 DBR的反射谱拟合与优化生长研究可应用于VCSEL和VECSEL 激光器。 关键词：分布布拉格反射镜；理论计算；优化生长；高反射率 中圈分类号：TN304．054 文献标识码：A 文章编号：1000-985X(2005)06-0977-05 ReflectanceSpectrum SimulationandOptimizedGrowthof AIAs／GaAsDistributedBraggReflector(DBR) Z ⅣGCuan-jie，阳 Yong—chun，PIBiao， DJiang—hong，，ⅣYao—wang，-， SHUQiang ，L， -bin，WANGZhan-guo ， Jing-jun (1．KeyLaboratoryofAdvanced hniqIle dFabric 0nforWeak—lightNonlinearPhotonicsMaterials， MinistryofEducation，NankaiUniversity，Tinajin300071，China； 2．Keyl-abomtoryofSemiconductorMaterialsScience，InstituteofSemiconductors，ChineseAcademyofSciences，Beijing100083，China) (Rece／ved28June2005) Abstract： etheoriesandcharacteristicsofdistributedbraggreflector(DBR)aredescribedinthispaper． esemiconductorsamplesof920nm nad980nrnDBR structureswere designed nad grown byMBE． 11hereflectivityofsemiconductorDBR with differentAlAs／GaAspairswascalculatedbytransfermatrix mehtod．Wecomparedhtecalculatedandexperimentreflectnacespectraandnaalyzedhteirdffierences． Byoptimizinggro