GaN HEMT 欧姆接触模式对电学特性的影响 - 物理学报 - 中国科学院 ....PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 11 (2014) 117302 GaN HEMT 欧姆接触模式对电学特性的影响 朱彦旭 曹伟伟 徐晨 邓叶 邹德恕 (北京工业大学, 省部共建光电子重点实验室, 北京 100124) ( 2014 年1 月16 日收到; 2014 年2 月27 日收到修改稿) 本文制备了AlGaN/GaN HEMT 器件中常规结构与带有纵向接触孔结构的两种接触电极, 研究了该两 种源欧姆接触模式对器件电学特性的影响. 在相同条件下进行快速退火, 发现在750 C 下退火30 s 后, 常规 结构还没有形成欧姆接触, 而带有纵向欧姆接触孔的接触电极与外延片已经形成了良好的欧姆接触. 同时, 比较了Ti/Al/Ti/Au 和Ti/Al/Ni/Au 电极退火后表面形态, Ti/Al/Ni/Au 具有更好的表面形貌. 通过测试两 种结构的HEMT 器件后, 发现采用纵向欧姆接触孔结构器件具有更高的跨导和饱和电流, 但是也会在栅极电 压为0.5—2 V 之间产生严重的电流崩塌现象. 关键词: AlGaN/GaN, 高迁移率电子晶体管, 欧姆接触 PACS: 73.40.Kp, 73.40.Vz, 61.72.uj DOI: 10.7498/aps.63.117302 器件较难获得. 而对于大功率高频器件, 低的接 1 引 言 触电阻往往意味着低热量的产生和高的器件可靠 性, 所以欧姆接触工艺属于HEMT 制作的关键工 GaN 是第三代宽禁带半导体材料, 由于其具 艺. 以往研究中主要采用Ti/Al/阻挡层/Au6 或者 有大禁带宽度(3.4 eV)、高电子饱和速率(2 10 是Ti/Al/Ti/Al 阻挡层/Au7 的多层金属结构 cm/s), 高的击穿电场(1 10—3 10 V/cm), 获得较低的欧姆接触电阻, 有研究者采用在欧姆接 较高热导率, 耐腐蚀和抗辐射性能, 在高压、高频、 8 触电极下淀积Si N 的方法来降低接触电阻 . 高温、大功率和抗辐照环境条件下具有超强的优 本文通过改变欧姆接触电极与2DEG 直接接 势14 , 被认为是研究短波光电子器件和高压高频 触的模式, 即先刻蚀纵向欧姆接触孔然后电极欧姆 率大功率器件的最佳材料. GaN 基AlGaN/GaN 高 电极的方法, 研制出一种具有部分纵向接触的电极 迁移率晶体管(high electron mobility transistors, 的GaN HEMT 器件结构(如图1 (a)所示), 得出了 5 HEMT) 是功率器件中的研究热点 , 这是因为Al- 较好的欧姆接触特性和输出特性曲线. 在此基础上 GaN/GaN 异质结处形成高浓度、高迁移率的二维 与常规结构制作的HEMT 器件进行对比, 研究和 电子气(2DEG), 同时异质结对2DEG 具有良好的 分析了该结构对器件性能的影响. 调节能力. AlGaN/GaN 异质结的掺杂会引入杂质离子, 2 理论与实验 电离杂质散射的影响使得沟道中2DEG 的散射增 强, 在一定程度上限