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- 2017-06-19 发布于天津
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IGBT 概论
IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)BJT(
) MOS(),
MOSFET GTR GTR
;MOSFET
IGBT
600V
1 N N+
N+
P P+ P
Subchannel region P+
Drain injector IGBT
PNP
IGBT PNP
IGBT IGBT
IGBT MOSFET N MOSFET
MOSFET P+ N
N N IGBT
[]
IGBT
IGBT Ugs
Ugs Ugs Id
GTR 1 2 3
IGBT J2 J1 N+
N+
IGBT
IGBT Id Ugs
MOSFET Ugs(th) IGBT
IGBT Id Ugs
15V
IGBT IGBT
PNP B
MOSFET IGBT Uds(on)
Uds(on) Uj1 Udr IdRoh
Uj1 —— JI 0.7 1V Udr —— Rdr
Roh ——
Ids
Ids=(1+Bpnp)Imos
Imos —— MOSFET
N+ IGBT 1000V IGBT
2 3V IGBT
IGBT MOSFET
Uds PNP td(on)
tri ton
td (on) tri tfe1 tfe2
IGBT
IGBT
- MOSFET IGBT
MOSFET IGBT MOSFET
IGBT MOSFET PNP
td(off)
trv Uds(f)Tf
t(f1) t(f2)
t(off)=td(off)+trv t(f)
td(off)trv
IGBT MOSFETGTR IGBT
IGBT
34V MOSFET IGBT MOSFET GTR
IGBT
10KV
IGBT ABB
8KV IGBT EUPEC 65
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