二氧化硅钝化膜提高GaN基LED光提取效率的研究 - 中国工具信息网.PDFVIP

８０ 工 具 技 术 二氧化硅钝化膜提高ＧａＮ基 ＬＥＤ光提取效率的研究 高芬 西安工业大学 摘要：介绍了通过二氧化硅增透膜来提高ＧａＮ基ＬＥＤ光提取效率，采用等离子体增强气相沉积法（ＰＥＣＶＤ） 制备了二氧化硅钝化膜，经对器件的测试表明，在器件上沉积二氧化硅增透膜能够使器件的出光效率提高２８． ４％，同时提高了器件的可靠性。 关键词：氮化镓基发光二极管；等离子体增强化学气相增强；增透膜 中图分类号：ＴＧ１７４．４；ＴＮ３１２　　　　　　文献标志码：Ａ ＳｔｕｄｙｏｎＥｎｈａｎｃｅｍｅｎｔｏｆＬｉｇｈｔＥｘｔｒａｃｔｉｏｎＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙｆｏｒＧａＮ－ｂａｓｅｄ Ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅｂｙＣｏａｔｉｎｇＳｉＯ ＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎＬａｙｅｒ ２ ＧａｏＦｅｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｉｓｐａｐｅｒｉｎｔｒｏｄｕｃｅｓａｗａｙｏｆｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔｏｆｌｉｇｈｔｏｕｔｐｕｔｐｏｗｅｒｆｏｒＧａＮ－ｂａｓｅｄＬＥＤｂｙｃｏａｔｉｎｇｐａｓｓｉｖａ ｔｉｏｎｌａｙｅｒｓ，ｗｅｆａｂｒｉｃａｔｅｄＳｉＯｆｉｌｍｓｔｈｒｏｕｇｈＰｌａｓｍａＥｎｈａｎｃｅＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＰＥＣＶＤ）ｔｏｓｅｒｖｅａｓｔｈｅｐａｓｓｉ ２ ｖａｔｉｏｎｌａｙｅｒｏｆＧａＮ－ＬＥＤｓ．ＴｈｅｌｉｇｈｔｏｕｔｐｕｔｐｏｗｅｒｏｆｔｈｅＬＥＤｉｍｐｒｏｖｅｄ２８．４％ａｆｔｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇｔｈｅＳｉＯｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎｌａｙｅｒ． ２ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＧａＮ－ＬＥＤ；ｐｌａｓｍａｅｎｈａｎｃｅｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｕｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ａｎｔｉ－ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ 塔结构［３］；控制和改变自发辐射，通常采用谐振 　引言 ［４］ ［５，６］ ［７］ 腔 或光子晶体 等结构；采用表面粗糙方法 ， 作为新一代环保型固态光源，ＧａＮ基ＬＥＤ已成 使光在粗糙的半导体和空气（或其他介质）界面发 为人们关注的焦点。与传统光源相比，ＬＥＤ具有寿 生散射，增加其透射的机会。 命长、可靠性高、体积小、功耗低、响应速度快、易于 本文利用二氧化硅增透膜的办法来提高 ＧａＮ 调制和集成等优点。在信息显示、图像处理等领域 基ＬＥＤ的提取效率，减少光在通过半导体材料与空 得到广泛应用，并有望替代白炽灯、荧光灯，进入普 气接触界面时的反射，从而达到提高外量子效率的 ［１，２］ 通照明领域 。 目的。 ＧａＮ基ＬＥＤ发光效率主要分内量子效率和外 　实验 量子效率，内量子效率主要是指注入功率与有源层 光功率比，外量子效率即常说的提取效率。因此，提 　理论计算 高ＧａＮ－ＬＥＤ性能主要是通过提高内量子效率和 为了提高发光强度，从理论计算分析二氧化硅 外量子效率来实现，目前内量子效率已经得到大幅 厚度的最佳值。膜层多次反射和透射示意图如图１ 提高，为了获得高亮度的ＧａＮ基ＬＥＤｓ，关键要提高