大学材料科学基础第四章晶体缺陷.pptVIP

第四章 晶体缺陷 定义：晶体中原子排列偏离理想点阵结构的局部区域。 2．点缺陷的空间形态 三、讨论 4.2 位错的攀移 定义：位错的半个原子面沿位错滑移面法线 方向向上或向下的运动，即与b垂直，只有刃型位错才能进行攀移。 正攀移：位错线向上移动，半个原子面缩小； 负攀移：位错线向下移动，半个原子面扩大。 2 攀移方式： 负攀移 正攀移 1. 位错模型 位错是晶体中原子紊乱排列的一维区域，对其周围的原子排列方式提出过许多假设，目前普遍为大家接受的有两种：刃型位错和螺型位错。 二．位错模型和位错的易动性 1.1 刃型位错 （edge dislocation） 几何图像： 图7 刃型位错几何图像 图8 刃型位错形成模型 e) 刃位错线可以是任意形状。 a) 有多余的半个原子面。 b) 刃型位错有正负之分，两者是相对的， 分别用 ┷ 和 ┯ 表示。 c) 刃位错线是晶体中已滑移区和未滑移 区的分界线。 d) 位错线并不是一条几何线而是一条管道， 管道长度远大于直径。 刃型位错特征： 图9 几种形状的刃位错线 几何图像和形成方式 1.2 螺型位错（screw dislocation） 螺型位错几何图像