第04章硅的氧化.ppt

* * （111）方向界面态多，所以MOS器件中多用（100）硅片 * Qot 在这些年来受到重视。因为在小尺寸器件中，电场很高，这些高电场使电子具有更高能量，可以达到注入到栅氧化层中的能量。如果存在oxide trap，或者是由于电子注入，会发生 charge trapping,使得器件阈值电压随时间漂移。 * 60年代Qm是一个很严重的问题，在70年代经过清洗工艺的改进，这个问题在70年代大部分消失，但是即使在今天仍然是一个问题。 Tca:三氯氢硅 * * 解释一下卧式炉的装片方式（硅舟），以得到立式炉装片方式的优点。 卧式炉从半导体产业早期就开始使用，在90年代初期，开始被立式炉取代，这是由于立式炉更易于自动化，改善操作者的安全和占用空间小。 立式炉在技术上仍然在不断改进，相对较低的成本，使卧式炉对特征尺寸大于0.5um的工艺仍然很具有吸引力。 * 氧化检查：氧化层质量和厚度。 * 载物台，舟，炉管都是石英制成，因为石英熔点很高，耐高温，石英就是二氧化硅。除了石英，还可以用SiC，只是成本很高。 炉管和石英器皿注意清洗，因为几次高温过程之后，表面就附着了反应物，可能成为颗粒，散落到硅片上。 炉体是通过多段加温来实现恒温区的。 二氧化硅熔点：1670 单晶硅熔点：1417 碳化硅熔点：约2700 * 恒温温度在1000，也能控制在0.25度的误差 热电温度记录仪常以热电偶作为测