热处理对驻极体电荷稳定性的影响.教案.pptVIP

4）淬火条件对改性效果的影响 Ⅰ淬火前的升温率的影响： 　　如果过高的升温率（例如几分钟内达到或 接近材料的熔融态）,由于大分子链的松弛 较 慢，会使材料的晶区的初态在没有充分瓦解前 淬火已经开始，导致材料结构改性的不充分。 实验结果指出，通常以升温率不高于3℃/min较 为适宜。 Ⅱ 沿膜厚方向的淬透性对电荷储存稳定性的影响 为了使淬火成功，样品从淬火前的高温 态浸入到 淬火媒质必须快到足以确保在冷却期间没有明显的性 质变化。 Ⅲ 淬火后和充电前的储存时间的影响 缩短淬火后和充电前的储存时间，尤其是储存温 度处在被淬火材料的玻璃相变温度Tg以上时，不利于 储存电荷的稳定性。因为在这一条件下，随着储存时 间的延长，分子链将继续不断地有序化，这有利于晶 粒的组合与生长，使结晶粒度下降，减小晶粒间的晶 区与非晶区的界面，导致材料物性向着不利于电荷储 存的方向逆转。 Ⅳ 合理选择热导率和热容量大的淬火媒质 此外，应该选择足够高的热导率和热容 量大的淬火媒质，使样品通过淬火，瞬时地 冻结在淬火前的高温态。与此同时，还必须 根据被处理材料的性能（如Tm和Tg）合理地 选择淬火前样品温度T0，淬火媒质的初温 Tq，以便通过淬火使材料物性向着有利于电 荷储存的方向转化。 D无机驻极体材料的热处理改性 无机驻极体材料，例如非晶态SiO2，Si3N4和白云 母等的热处理对其电荷寿命的影响和聚合物材料具有 类似的规律。在合理控制热处理参数的条件下，高温 充电和常温充电后的热处理同样能导致材料电荷储存 稳定性的改善。如在单晶硅片上通过热湿氧化形成的 膜厚为1?m的非晶态SiO2薄膜，经常温电晕充电后，通 过250℃，300℃和330℃老化半小时，可导致低温峰 （100℃和210℃ ）的消失和310℃高温峰向高温区迁 移近50℃ （图6），这证实了热激发引起浅阱电荷的脱 阱和它们的部分被较深的能阱再捕获；而同样材料在 100℃和150℃正负电晕的高温充电也获得类似的改性 效果。 图 6. 常温电晕充电的SiO2薄膜老化在不同温度下的 TSD电流谱 类似于聚合物薄膜材料，无机薄膜材料 的高温充电和常温充电后的热老化也会引起 电荷重心的内迁移（图7），导致体阱对表面 阱捕获电荷密度之比的增加，及深阱对浅阱 捕获电荷密度之比的上升，这对改善其电荷 寿命无疑是十分重要的。 图 7 . SiO2驻极体的电荷重心和电荷密度作为老化 温度的函数 实验还证实：常温充电后经200℃老化形成的高稳定 性SiO2驻极体薄膜，是近年来国内外研制的硅基微型集成 化驻极体传感器的优秀传感膜材。近年来发展起来用sol- gel工艺研制的SiO2驻极体和微电子器件功能膜具有诱人的 应用前景，并已取得了一些重要进展。除了和聚合物具有 类似的热处理改性的共性外，sol-gel成膜后的热处理是使 这类薄膜致密和纯化不可缺少的工艺，它们的热处理需要 在从400℃ -1100℃的宽温区内完成。较低温度的老化是 基于材料的纯化反应（化学过程），即加热至400℃以排 除或分解膜内的水、乙醇及其它残余有机物，而700℃至 800℃加热则可能将甲硅醇分解掉；高温老化（800～1100 ℃ ）是基于材料的致密（物理过程）。由于SiO2是一种亲 水材料，充电后，尤其是电晕充电后，较高的表面电导对 电荷层沉积于表面和近表面的SiO2驻极体的稳定性将产生 明显的影响。 用HMDS（Hexamethyl disilazene，六甲基二 硅胺烷）进行化学表面修正，实现亲水至疏水 的转换可以避免（或削弱）SiO2薄膜表面亲水 性对其电荷稳定性的影响。然而较高的热处理 温度（如200℃以上）可引起表面疏水层的变性 和亲水层的再生（一定温度下的可逆反应）。 ------------------------------------------------------------------ 图8表示出充电后的sol-gel SiO2驻极体在不 同老化温度下，由于表面亲水层的再生而引起 电荷密度的不同衰减速率。 图 8. 化学表面修正的SiO2薄膜在不同温度老化后的 等温表面电位衰减曲线 将化学表面修正后的sol-gel SiO2 薄膜驻极体的老化温度控制在200℃ 以下，则既兼顾到保护表面的疏水 层，又在相当程度上改善了深阱对 浅阱捕获电荷的浓度比，有利于延 长sol-gel SiO2驻极体的寿命。 THE END 人有了知识，就会具备各种