半导体的晶体结构.ppt

半导体物理学 半导体物理发展进程： 固体 2. 晶格原胞 （1）布喇菲格子－晶体由完全相同的一种原子组成，结点和原子重合。特征是：每个原子的周围情况（几何形状或物理性质）都相同。 晶格原胞(晶胞)： 晶体的有序周期性决定晶格的有序周期性，因此，整个晶体可以通过由结点构成的某一单元沿空间三个不同方向各按一定的距离作周期性地平移而构成，如图1－2所示a1，a2，a3 。这个重复单元就称为原胞或晶胞，平移一定的距离称为晶格的周期。 1、三斜晶系 a≠b≠c α≠β≠γ≠90° 2、单斜晶系 a≠b≠c α＝ γ ＝90°≠ β 3、正交晶系 a≠b≠c α＝β＝γ＝90° 4、三角晶系 a＝b＝c α＝β＝γ≠90° 5、四方晶系 a＝b≠c α＝β＝γ＝90° 6、六角晶系 a＝b≠c α＝β＝90° γ＝120° 7、立方晶系 a＝b＝c α＝β＝γ＝90° 原胞的选取是任意的。 合理的选择原胞的方法主要有两种： （1）固体物理学原胞－按周期选取。 原胞最小的重复单元，结点在顶角上，内部和面上不含其他结点。 （2）结晶学原胞－除按周期性外还根据晶胞的特殊对称性来选取，原胞不一定是最小的重复单元，结点不仅可以在顶角上，在体心或面心都可以有结点。 半导体Si和Ge的晶体结构属于金刚石型结构， 而III-V族化合物半导体GaAs的晶体结构属于闪锌矿型结构，但它们都属于面心立方。 3. 晶列指数和晶面指数 晶列：在一个晶格结构中通过任意两个结点的连线。 晶列族：平行于某一晶列的所有晶列的组合。 1）晶列的标示方法 （2）用结晶学原胞基矢表示：从原点O到结点A的位矢为 2）晶面的标示方法 其中D为晶面离开原点的距离。所以有： （2）用结晶学原胞基矢为坐标轴表示： 1.2 晶体的结合 按原子结合力的性质分： 2. 晶体的结合 设两个原子间距为r，其相互作用能可表示为： 当 时为引力；当 时为斥力。平衡 时引力和斥力抵消，即： 对三维情况，设N为晶体的总质点数， 是第 i 个和第j 个质点的相互作用能，即第i个质点与所有其他质点的相互作用能为： 当晶体结合能U(r)已知时，便可以算出晶体的某些物理特性。 又P与V的关系为： （3）抗张强度－晶体所能负荷的最大张力 1.3 晶体中的热缺陷及位错 1. 热缺陷：当温度T不等于0K时，晶体中格点上原子发生热振动有几率离开格点位置而成为间隙原子和空位，即缺陷。热缺陷为点缺陷，包括： 2. 位错 位错有以下两种基本形式： （2）螺型位错 3. 通常半导体的晶格结构及缺陷 （1）硅、锗的金刚石型结构 硅(锗)原子的最外层四个价电子与最邻近的其它4个硅(锗)原子的一个价电子形成共价键而结合成晶体。 Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体闪锌矿型晶体结构 1.4 合金 1.合金的分类 2. 合金相图 （1）溶解度无限固溶体的相图---组成无限固溶体的金属A和金属B，在液态和固态及任意组分下，彼此均可无限制地互相溶解而不形成化合物。 （2）溶解度有限固溶体的相图－这种固溶体在液态下可以互溶，在固态下只能有限溶解（即只当溶质原子的浓度或组分比较少时才可以溶解），但不生成化合物。 （3）具有中间化合物的二元系相图 2）在液态下互溶，在固态下彼此不相溶解 但形成不稳定的化合物（即未到溶点时可以分解为固相和液相）。 设 时，有效外力为最大，可由下式确定： 图1－10 将原子拉开无限远时，相互作用力和作用能随距离的变化过程。 所以，总的作用能为： （1-5） 对于具有N质点的晶体，不考虑表面效应时(每个质点的地位是等同的)，上式可简化为： (1-6) 离子晶体为例 （1）晶格常数－ 当质点结合成稳定的晶体时，结合能为极小值，因此晶格常数( ro ) 可由下式确定。 （2）压缩系数－由压缩系数定义有： 其中：V为晶体体积，P为压力。 (1-19) (1-18) K为体弹性模量。当T＝0K时，晶体的平衡 体积为V0，此时 所以： (1-22) (1-20) (1-21) 若晶体所受的张力使两原子之间距离正好 在相互作用力曲线的极小值处，即当 时，设此时对应的体积为 时，抗张强度为： 当 时，P为极大，由： 求得 的数值，