第五章版图编辑与版图验证.ppt

图5-22 CMOS工艺的反相器 (3) NAND2的组成分析。二输入与非门如图5-23所示。 NAND2 由两个PMOS管和两个NMOS管组成，因此，NADA2可由PMOS管、NMOS管组合而成，即NAND2的版图可由PMOS、 NMOS的版图拼成（也可整体绘制）。 图 5-23 二输入与非门示意图 2. MUX21-1的绘制方法 分步画图：  （1） 绘制PMOS的Layout。  （2） 绘制NMOS的Layout。  （3） 绘制INV的Layout。  （4） 绘制NAND2的Layout。  （5） 绘制MUX21-1的Layout。 3. 绘制Layout的准备 在个人的目录中启动 Layoutplus。建立目标库(Cell)： PMOS、NMOS、INV、 NAND2、MUX21-1。建立CellView： PMOS、 NMOS、INV、NAND2、MUX21-1的symbol、 schematic描述（其内容可从厂家提供的基本库或其它基本库中拷贝）。建立CellView的Layout描述，以进行Edit编辑。在Library Browser中用鼠标点中Cell（PMOS、NMOS、INV、 NAND2、 MUX21-1）的Layout，按下鼠标中键选择Edit 进入编辑环境。 利用LSW工具窗口条在出现的Editing Layout窗口中按设计规则的要求进行版图的编辑。 4. 绘制PMOS的Layout PMOS管的图形如5-24所示。 绘制PMOS管的步骤如下： 图 5-24 PMOS管的图形 (1) 在LSW中选定nwell，点Rectangle（矩形），在Edit的窗口之中画出nwell区域。  (2) 在LSW中选定pdiff，点Rectangle（矩形），在Edit的窗口之中的nwell中画出pdiff区域。  (3) 在LSW中选定poly， 点Rectangle（矩形），画出poly区域。  (4) 在LSW中选定cont，点Rectangle（矩形），画出一个cont， 再使用copy命令画出其余的cont。  (5) 绘制完毕之后，用Save命令将相关结果保存于目标库中PMOS的Layout。 5. 绘制NMOS的Layout 图 5-25 NMOS管的图形 (1) 在LSW中选定pwell，点Rectangle（矩形），在Edit的窗口之中画出pwell区域。  (2) 在LSW中选定ndiff，点Rectangle（矩形），在Edit的窗口之中的pwell中画出pdiff区域。  (3) 在LSW中选定poly， 点Rectangle（矩形），画出poly区域。  (4) 在LSW中选定cont，点Rectangle（矩形），画出一个cont，再使用copy命令画出其余的cont。  (5) 绘制完毕之后， 用Save命令将相关结果保存于目标库中NMOS的Layout。 6. 绘制INV的Layout 绘制INV的Layout的方法有二。  1) 方法一  从目标库中拷贝一个NMOS及一个PMOS的Layout，对照如图5-22所示的原理图进行绘制。具体步骤如下：  (1) 点击copy，选cell-NMOS-layout并拖曳光标至Edit窗口内。 (2) 点击copy，选cell-PMOS-layout并拖曳光标至Edit窗口内。 (3) 在LSW中选定Metal，点Rectangle（矩形），画出VDD-（电源）、GND（地）。 (4) 在LSW中选定Metal，点line（线），连接vdd-pidff、 poly-poly（或将NMOS的poly和PMOS的poly改画为一条）、 pdiff-ndIff、ndiff-gnd。  (5) 在LSW中选定Pin，点Rectangle（矩形），画出输入、 输出的Pin（输入的Pin用Metal与poly相连，输出的Pin用Metal与ndiff-pdiff相连）。 (6) 点Label为Layout加注（vdd，gnd，input，ouput）。 拖曳光标至Edit窗口内，双击鼠标左键则可，之后再点击cancel。  (7) 画完之后，用Save命令将相关结果