脱合金制备的多孔TiO2表面负载CdS纳米颗粒.docVIP

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脱合金制备的多孔TiO2表面负载CdS纳米颗粒

脱合金制备的多孔TiO2表面负载CdS纳米颗粒 第 8卷 第 2期  中 国 科 技 论 文  CHI NA  S CI ENCE PAPER  Vo l - 8   No . 2   Fe b . 2 0 1 3   2 0 1 3年 2月   脱 合金 制备 的 多孔 T i O2 表面 负载 C d S纳 米 颗 粒  张  萌, 崔振铎 , 朱胜利 , 杨 贤金  ( 天津大学材料科 学与工程 学院, 天津 3 0 0 0 7 2 )   摘 要: 在脱 合金 制备 的纳米多孔 Ti O z表面通过无氨化学水浴沉积负载 了 C d S纳米 颗粒, 其 中脱合金 的材料选用钛 铜非 晶态  合金 。对样 品表面进行扫描 电子显微镜观察和 x射 线光 电子 能谱表征 , 证明了C d S在表面上 均匀沉积。通过控 制沉积反 应的  时间来控制 C d S在 多孔 Ti O z 表 面的沉积量 。通过测量不 同沉积 时间下材料 的短路光 电流 , 发现 C d S颗 粒的负载能够 显著提 高  纳米 多孔 Ti Oz 材料 的光电流 , C d S颗粒越小对材料光 电性能的提 升效果更 显著 , 在 不加偏压 的情况 下测得 最高 的光 电流 可达  1 . 3   mA/ c m  。   关键词 : 脱合金 ; 纳米 多孔材料 ; 二氧化钛 ; 硫化镉 ; 沉积 ; 光 电流  中图分类号 : TB 3 3 2   文献标 志码 : A   文章编号 : 2 0 9 5 — 2 7 8 3 ( 2 0 1 3 ) 0 2 —0 1 5 4 — 0 4   Cd S   na no p a r t i e l e s   l o a d e d   na n o p o r o u s   Ti O2   pr e pa r e d   b y   d e a l l o y i ng   Z h a n g   Me n g , C u i   Z h e n d u o ,Z h u   S h e n g l i , Ya n g   X i a n i   i n   ( S c h o o l   o f   Ma t e r i a l s   S c i e n c e   a n d   E n g i n e e r i n g,T i a n j i n   U n i v e r s i t y,T i a n j i n   3 0 0 0 7 2 ,C h i n a )   Ab s t r a c t :Cd S   n a n o p a r t i c l e s   we r e   l o a d e d   o n   t h e   s u r f a c e   o f   n a n o p o r o u s   Ti O2   p r e p a r e d   b y   t h e   d e a l l o y i n g   me t h o d .Th e   Ti — Cu   a mo r   p h o u s   a l l o y   wa s   c h o s e n   a s   t h e   s t a r t i n g   a l l o y   o f   t h e   d e a l l o y i n g   p r o c e s s .S EM   a n d   XP S   c h a r a c t e r i z a t i o n s   o f   t h e   s a mp l e s   s h o we d   t h a t   t h e   Cd S   n a n o p a r t i c l e s   we r e   d e p o s i t e d   h o mo g e n e o u s l y   o n   t h e   n a n o p o r o u s   s u r f a c e .By   me a s u r i n g   t h e   s h o r t   c i r c u i t   p h o t o c u r r e n t ,i t   i s   f o u n d   t h a t   t h e   d e p o s i t i o n   o f   Cd S   c o u l d   e n h a n c e   p h o t o c u r r e n t   o f   t h e   ma t e r i a l   o b v i o u s l y .S ma l l e r   Cd S   p

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