一种NAND型三维多层1TXR阻变存储器设计.pdfVIP

Des gn and Development of IC do : 103969/ jssn1003353x201009014 NAND 1TX R 张佶, 金钢, 吴雨欣, 林殷茵 ( 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室, 上 201203) : 随着存储器市场逐渐受消费电子的驱动, 对高密度低成本的存储需求正在不断增 阻变存储器正在成为新型非挥发存储器的研究热点提出一种适用于未来高密度应用的与非 ( NAND) 型共享选通管的三维多层 1TX R 阻变存储器概念在013 m 工艺下, 以 一个使用8 层 金属堆叠的1T 64R 结构为例, 其存储密度比传统的单层 1T 1R 结构高500% 提出了相关的读写 操作方法来防止由漏电流造成的误写和误读并且降低功耗 : 与非; 三维; 可堆叠; 多层; 阻变存储器; 高密度应用 : TN402 :