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2017-06-19 发布于天津
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IGBT过电压产生机理分析及RC缓冲电路的设计.pdf

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IGBT过电压产生机理分析及RC缓冲电路的设计

27 4 Vol27, No4 23 2011 4 Electric Power Science and Engineering Apr., 2011 IGBTRC 姜栋栋, 王烨, 卢峰 ( , 071003) : 由于 IGBT 经常工作于高频状态, 因此对其关断过电压的抑制就显得尤为重要对 IGBT关断过电压的产生理进行了分析, 对常用的 3种缓冲电路进行简单介绍, 并且重点对 RC缓冲电路的工作原理及参数确定进行了理论分析搭建了用于测试 IGBT 动态特性的电路模型, 并通过M ultismi 对 RC 缓冲电路进行了仿真与分析, 验证了 RC缓冲电路的吸收特性 : RC; 缓冲电路; IGBT; 浪涌电压 : TM 21 : A , 0 IGBT , IGBT , IGBT IGBT IGBT ( Insu lated G ate B ipolar T ransistor), , , BJT () MOS () , MOSFET 1 IGBT GTR 11 GTR, , ; IGBT 1 MOSFET , , , IGBT , 600 V, [ 1] IGBT , , , IGBT kH z , , IGBT 1 IGBT , F ig. 1 Local operating circuit of IGBT , IGBT, , , , , , , kH z, di/ dt , IGBT , , , IGBT , , , , , IGBT , , : 2010- 12- 10 : ( 1 86), , , , Em ail: ugv007@ 163. com 24 2011 Ucep = Uce +L di / dt ( 1) : Ucep, V; Uce , V; L ( ) , H; di / dt IGBT