RCD吸收回路设计.pdfVIP

反激变换器的RCD 吸收回路设计 类别：电源技术 当MOSFET 关断时，就会有一个高压尖刺出现在其漏极上。这是由于主变压器的漏感 和MOSFET 输出电容谐振造成的，在漏极上过高的电压可能会击穿MOSFET，为此就必须 增加一个附加电路来钳制这个电压。在此技术范围，我们介绍反激变换器的RCD 吸收回路。 －、简介 反激变换器是结构最简单的电路拓扑之一。它直接从一个Buck￣Boost 变换器放一个 电感与之耦合而成，也就是一个加入气隙的变压器。当主功率开关导通时，能量存在变压器 中，在开关关断时，又将能量送到输出级。由于在主功率开关导通时变压器需要储能，因而 磁心要加气隙。由于反激式需要的元器件很少，因而是中小功率电源常用的电路拓扑。例如： 充电器、适配器及DVD 播放机等。 图1 反激变换器的电路 （a ）具有寄生元器件的反激变换器；（b ）CCM 方式工作波形；（c ）DCM 方式工作 波形 图1 给出反激变换器在连续导通型工作 （CCM ）和断续导通型工作 （DCM ）的几个寄 生元器件。如一次级间漏感、MOSFET 的输出电容、二次侧二极管的结电容等。当MOSFET 关断时，一次电流Id 给MOSFET 的Coss 充电，此电压力加在Coss 上，Vds 超过输入电压， 加上了折返的输出电压VIN ＋Nv 。，二次侧二极管导通。电感Lm 上的电压钳在Nvo ，也 就是LIK1 与Coss 之间的高频谐振及高浪涌，在CCM 工作模式下，二次侧二极管一直导通， 直到MOSFET 再次导通。因此当MOSFET 导通时，二次侧二极管的反转恢复电流要叠加到 一次电流上。于是，在一次就有一个大的浪涌出现在导通时，此即意味着对于DCM 工作情 况，因二次侧电流在一个开关周期结束之前已经干涸。所以Lm 与Coss 之前才有一个谐振。 二、吸收回路设计 由于LIK1 与Coss 之间的谐振造成的过度高电压必须为电路元器件能接受的水平，为 此必须加入一个电路，以保护主开关MOSFET 。RCD 吸收回路及关键波形示于图2 和图3 所示。它当Vds 超出VIN+nV 时，RCD 吸收回路使吸收二极管VDsn 导通的方法来吸收漏 感的电流。假设吸收回路电容足够太，其电压就不会超出。 当MOSFET 关断时，Vds 充电升到VIN+nV 。一次电流通过二极管VDsn 到达吸收回 路的电容Csn 处，二次侧的整流管在同时导通。因此其上的电压为Vsn-nV ，Isn 的斜率如下： 图2 反激变换器的RCD 吸收回路 图3 加入吸收回路的DCM 关键波形 式中：isn 是流进吸回路的电流；Vsn 是吸收回路电容上的电压；n 是主变压器匝数； LIK1 是主变压器的漏感。因此，时时TS 可以从下式求出： 式中：Ipeak 是一次电流的峰值。 吸收回路电容电压，Vsn 在最低输人电压及满载条件下决定。－旦Vsn 定了，则吸收 回路的功耗在最低输人电压及满载条件下为： 式中：fs 是开关频率；Vsn 为2～2 ．5 倍的nVo，从公式中看出非常小的Vsn 使吸收 回路损耗也减小。 另一方面，由于吸收回路电Rsn 的功耗为，我们可以求得电阻： 然后吸收回路的电阻选用合适的功率来消耗此能量，电容上的最太纹波电压用下式求 出：