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单层二硫化钼光学性质
第 卷 第 期 （ ） ．５３ Ｎｏ．４
５３ ４ 厦门大学学报 自然科学版 Ｖｏｌ
年 月 （ ）
２０１４ ７ ．２０１４
Ｊｕｌ
Ｊｏｕ
ｒｎａｌｏｆＸｉａｍｅｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔ ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ
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： ／ ４７
０．６０４３ ．ｉｓｓｎ．０４３８ ９．２０１４．０４．００５
ｄｏｉ１ ｊ －０
单层二硫化钼光学性质的第一性原理计算
＊
， ， ，
杨志鹏 吴顺情 文玉华 朱梓忠
（ ， 门 ）
厦门大学物理与机电工程学院 福建 厦 ３６１００５
摘要： （ ）
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了单层和体材料二硫化钼 ＭｏＳ 的电子能带结构及光学性质．
２
， ， 、
在能带结构计算的基础上 计算了单层和体材料 ＭｏＳ 的介电函数虚部及实部 并导出了单层ＭｏＳ 的能量损失谱 吸
２ ２
、 、 各峰值与对应的能带带间跃迁
收系数 反射率 折射率和消光系数等 同时给出了体材料及单层 介电函数图像中
． ＭｏＳ
２
之间的关系 所得结果与实验结果及现有的理论结果相符合
． ．
关键词： ； ； ；
二硫化钼 单层 光学性质 第一性原理计算
中图分类号： 文献标志码： 文章编号： （ ）
Ｏ ４８１ Ａ ０４３ ０４７ ０４５ ０６
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