第一章 电学 复习和习题.ppt

第一章 电学性能  离子载流子导电 1、本征电导即离子、空位等的产生，这尤其是在高温下十分显著；杂质电导杂质离子是弱联系离子，故在较低温度下其电导也表现得很显著。 2、 A、固有电导(本征电导)中晶体的热缺陷主要有两类：弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷，固有电导在高温下才会显著地增大；B、 杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类。低温下，离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定。 3、离子迁移率正离子顺电场方向，“迁移”容易，反电场方向“迁移”困难。 4、离子电导率离子晶体的电导主要为杂质电导 5、离子扩散机构主要有：1、空位扩散；2、间隙扩散；3、亚晶格间隙扩散 6、影响离子电导率的因素A、温度，在低温下，杂质电导占主要地位(曲线1)，高温下，固有电导起主要作用。 B、晶体结构关键点：活化能大小――决定于晶体间各粒子结合力，C、晶体缺陷 * 马西森定律 马西森等人把固溶体电阻率看成由金属基本电阻率ρ(T)和残余电阻ρ残组成。 即ρ＝ρ（T）＋ρ残 称为马西森定律。 电子载流子导电 要点 本征缺陷 杂质缺陷 重要公式 300K 时，锗的本征电阻率为47Ω.cm,如电子和空穴的载流子浓度分别为3900cm2 /V .s和 1900cm2 /V .s .求本征锗的载流子浓度. 习题 本征硅在室温时电子和空穴迁移分别为 1350cm2 /V .s 和 500cm2 /V .s