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2017-06-20 发布于天津
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开关电源的振铃及抑制

开关电源的振铃及抑制蒋江黔网名: PowerAnts 世纪电源网电源技术研讨会2012-03-24 论坛讨论同步链接:/73490.html 开关电源的振铃现象振铃的危害 • 高的回路Q值产生过高的电压尖峰，增加MOSFET、二极管、变压器、电感等功率器件的电压应力 • 振铃信号串入驱动回路，加剧功率管损耗 • 引起EMI问题 RLC谐振条件 • 一端口RLC电路出现电流与电压相位相同的现象，称为谐振阻尼振荡 • 串联/并联临界点：2R/0.5R 电流源激励的并联谐振电流源激励的串联谐振 • ? 电压源激励的并联谐振电压源激励的串联谐振振铃的寄生参数测量与计算 1, 设电路的寄生电容为C1,寄生电感为L,振铃频率为f1, 2, 在功率器件两端并一个可让振铃频率发生明显变化的无极性电容 C2, 记录该并联C2后的振铃频率f2; 3, 由公式计算出杂散参数C1及L: RC吸收参数计算 1, 计算振铃的特性阻抗R 2, 计算吸收电容量Cx 3, 计算吸收电阻的功率Pr Pr = f1 * Cx * Vp-p ^2 案例 • 振铃波形 • T=125nS • 并联470PF • T=160nS • 62R+470P • 62R+220P • 150R+2200P • 150R+103 案例 • 某电源开关频率60KHz, 二次侧整流管上的Vp-p 为60V, 拌有10MHz振铃, 需要削弱该振铃; • 并联1000pF电容后, 振铃频率降为5MHz, 经计算得出振铃的特性阻抗为47欧, 串联电容为2nF, 吸收电阻损耗0.314W, 实际选1W金属膜电阻 MOSFET 门级吸收 MOSFET 漏极吸收谢谢大家！