通信电源_03整流与变换设备摘要.ppt

* * IGBT具有以下特点： IGBT从输入端看，类似于VMOSFET，IGBT的导通和关断由栅极电压来控制，当栅－射电压UGE大于开启电压VGE时，IGBT导通，当栅－射电压小于开启电压时，IGBT截止。 IGBT从输出端看，类似于双极型晶体管，导通压降小，饱和压降一般在2~4V之间，故导通损耗小。此外，IGBT能够做得比VMOSFET耐压更高，电流容量更大。 IGBT的开关速度在VMOSFET与双极型晶体管之间。 IGBT存在擎住效应。 光耦驱动电路 常用的光耦合器 发光二极管－晶体管 发光二极管－晶体管型光耦合器是由砷化镓发光二极管和硅光敏晶体管组成 。 二极管－二极管和晶体管放大型 它用光敏二极管作受光器件，再用晶体管把光电流放大输出 * * 常用的光耦合器 电路举例（TLP250驱动电路） 包括光耦合器、前级放大及比较器、触发器、功率放大器等部分 功率开关二极管 由于工作频率高，它们不能采用普通硅整流二极管，而必须采用快恢复二极管、超快恢复二极管或肖特基二极管等开关速度快的功率开关二极管。 二极管的开关特性 二极管反向恢复时间 二极管正向恢复时间 几种快速功率二极管 快恢复二极管 超快恢复二极管 肖特基二极管 * * 具有共模电感的抗干扰滤波器 抗干扰（EMI）滤波器由电感、电容组成，用于滤除噪声电压。噪声电压即干扰电压，包括尖峰电压、谐波电压和杂波电压，其