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第四章三氯氢硅精馏
第四章 TCS精馏工艺
在半导体材料多晶硅的生产中,三氯氢硅或四氯化硅提纯是一个重要的关键工序。提纯效果的优劣直接影响多晶硅的内在质量,所以人们在这一工序进行了一系列的研究工作,采用了许多的办法。其中有:精馏提纯法、萃取提纯法、固体吸附法、部分水解吸附法、络合物形成法等等。这些方法各有特点,但在多晶硅工业生产中,目前应用最多的仍然是精馏提纯法。
精馏提纯法,也称简单精馏法,是一种最重要的提纯方法。该法以其简单有效,又避免引进任何试剂污染,绝大部分杂质均能被完全分离(三氯氢硅与绝大多数杂质挥发度相差较大,除硼、磷两种有害杂质也并不十分困难),而得到广泛使用,所以本章将重点介绍精馏提纯法。
第一节 精馏提纯工艺及设备
(一)、精馏提纯工艺流程图:(见图4-1)
图4-1(包括:再沸器、冷凝器、冷凝液储罐、回流泵)
(1#、2#、3#、4#、5#)精馏塔
(二)、精馏工艺主体设备:
1.精馏塔柱:(图4-2)是精馏提纯工艺的核心设备。是混合物质进传质传热的场所。物料由不平衡到平衡螺旋上升的分离过程就是在塔内进行的,精馏提纯效果就取决于此种设备。
2.冷凝器:(见图4-3)是将塔蒸发出来的蒸汽冷凝成液体的设备,分为全冷凝式和部分冷凝式。
精馏塔
3.再沸器:是为塔提供足够热量,保证塔具有一定蒸发能力的设备,一般附有稳
1.偏心锥壳;2.堰板;3.液面计接口
图4-4 再沸器
3、再沸器:(见图4-4)
再沸器有两个主要作用,一是为精馏塔提供足量的上升蒸汽,保证精馏塔的正常运转;二是确保釜温,保证排出的高沸物纯度。
保证蒸发量是该设备的主要作用,通过控制热媒(蒸汽)的流量和釜温来完成。供热稳定,再沸器内的介质成分也相对稳定才能使蒸发量保持不变。因此,再沸器还应包括热媒流量控制、液位控制、釜压控制和釜液流量控制等附属设备。
(三)、精馏和冷冻、高纯氮制备的关系:
1.冷冻站:负责给精馏冷凝器提供冷能,保证精馏塔正常运行。在精馏准备开车前,冷冻必须达到运行稳定、冷能输送正常。
2.高纯氮制备:负责给精馏塔提供高纯氮气,以维持精馏系统保持正
压以及开车前置换的需要。高纯氮气的质量和压力应保持稳定。值
得注意的是: 氮气质量的下降会在工艺系统置换时给各高纯系统(包括精馏)带来污染。
第二节、精馏提纯原理
(一)、有关的几个名词
1. 轻组分:低沸点组分或易挥发组分。
2. 重组分:高沸点组分或难挥发组分。
3. 挥发度及相对挥发度:
(1)挥发度:混合液中任一组分的挥发度, 以它的蒸汽分压与相应的分子分数之比来表示,即:
,
显然含量低而产生蒸汽分压又大的组分是容易挥发组分。
(2)相对挥发度:混合液中两个组分挥发度之比。汽液平衡时组分A对组分B的相对挥发度:
对理想溶液,依拉乌尔定律:
,
则汽液平衡时组分A对组分B的相对挥发度:
4. 全流量(即塔的蒸发量) Q:(见图4-5)
Q=L+P
亦即单位时间里,塔输送给冷凝器的蒸汽量。单位为(Kg/h)或
( m3/h)。
5. 回流比R: 回流入塔的液体量L与塔头馏分量P之比。
回流比是由系统分离的难易程度、分离要求,以及经济核算来确定的。一般来说,分离越难(即两种组分的平均相对挥发度越接近1)、要求分离越彻底,则回流比越大。但过大的回流比势必大幅度增加能耗,经济上是不合算的。
6. 精馏段:进料板以上为精馏段。精馏段的作用是沿塔向上把蒸汽中易挥发组分逐板增浓,在塔头得到浓度较高的低沸点产品。
7. 提馏段:进料板以下为提馏段。提馏段的作用是沿塔向下把液体中易挥发组分逐板提馏,在塔底得到浓度较高的高沸点产品。
由精馏段和提馏段的双重作用即可完成对混合液的分离要求。
(见图4-5 单塔及加热器、冷凝器装置图)
图 4-5单塔及加热器、冷凝器装置图
利用液体混合物中各组分在同一温度下的挥发度不同,因而在汽液两平衡相中的浓度分配产生的差异,使用部分汽化与部分冷凝同时进行的手段,使汽相中高沸点组分和液相中低沸点组分以相反方向进行多次冷凝和汽化,来达到较完全分离液体混合物的目的。显然,实现精馏过程的先决条件:必须是两个不平衡相接触混合,若是两个平衡相,精馏过程就不可能实现。
(二)、传质与传热:(见图4-5)
1. 能量和质量交换:
精馏过程是在逆流式塔设备内进行的。塔底液体被蒸发而产生的蒸汽由下而上流动;升入塔顶的蒸汽又被冷凝成为液体由上而下流动。这样就自然形成了一个温度梯级,即Tn+1TnTn-1……。
以第n块塔板为例:第n+1块板上升的蒸汽穿过第n块板时,由于Tn+1Tn,被该板上的液体吸收潜热而部分冷凝(传热),其中高沸点组分由汽相转入液
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