第二章扩散作业课件.pptVIP

第二章 习题解答 电子工程系 王彩琳 2.1 某数字IC的埋层采用锑箱法扩散，温度为1200℃，扩散时间为2h，(1)P型硅衬底的电阻率为8?· cm，求n+埋层的厚度；(2)忽略衬底掺杂的补偿作用，求n+埋层的平均杂质浓度和方块电阻。 解: 由于锑箱法扩散属于恒定表面源扩散，因此它遵循余误差分布。 根据题意, p-Si衬底的?为8?· cm, 查图ρ~CB知，当ρ = 8Ω ·cm时, CB = 1.6×1015cm-3 ； 查图D~T可知, 当扩散T=1200℃，Sb的D=3×10-13cm2/s; 查图CSOl~T可知, 当扩散T=1200℃，CSOl=6×1019cm-3 p-Si n+-Si p-EPI nb pe 锑扩散 2 5 2 5 ρ~CB 的关系曲线 杂质硅中的固溶度 杂质在111硅中的扩散系数 lnD~1/T的关系 A1 A2 A值与CS/CB的关系曲线 根据结深的计算公式， ，A的值可用两种方法求出。 当扩散时间为2h时， n+埋层的厚度为： n+埋层的杂质总量Q0为： 忽略衬底掺杂的补偿作用，所求n+埋层的平均杂质浓度为： 所求出 n+埋层的方块电阻为： 电子和空穴迁移率与杂质浓度的关系 查图C~?可知, 当 C=1.15×1019cm-3,取?n=72cm2/s; 查依尔芬曲线：硅中n型余误差函数分布扩散层的平均电导率?与表面浓度Cs的关系曲线 ， 根据方块电阻的计算公式，可求出 n+埋层的方块电阻为： 当CB= 1.6×1015cm-3，Cs= 6×1019cm-3 时，对应曲线x/xj=0，?=150/?·cm。 查阅：张屏英 周佑谟编《晶体管原理》P319页 图VII-1b 2.3 某硅集成电路采用的N型外延层的电阻率为0.4?· cm，其晶体管基区硼预淀积温度为950℃，时间为10min；再分布的温度为1180℃，时间为50min， (1)求预淀积掺入的杂质总量、结深和方块电阻； (2)求再分布后的表面浓度，结深和方块电阻。 解: 根据题意知晶体管基区硼扩散属于两步扩散： 预沉积属于恒定表面源扩散，它遵循余误差分布。 再分布属于有限表面源扩散，它遵循高斯分布。 查图ρ~NB知，当ρ = 0.4Ω ·cm时, CB = 1.2×1016cm-3 ； 查图D~T可知：当T1=950℃， B的D1=4×10-15cm-2/s; 当T2=1180℃， B的D2=1.5×10-12cm-2/s; 查图CSOl~T可知：当T=950℃， CSOl=4×1020cm-3; 已知预沉积时间：t1=10min; 再分布时间：t2=50min; 所求的预沉积时掺入的杂质总量为： (1)预沉积： A1 A2 A值与NS/NB的关系曲线 所求的预沉积时的结深为： 所求的预沉积时的方块电阻为： 查图C~?可知：当 C=7.86×1019cm-3，取?p =55cm2/s; (2)再分布： 再分布时表面浓度为： 所求的再分布时的结深为： 所求的再分布时的方块电阻为： 2.4 硅IC采用的N型外延层的电阻率为0.4?· cm ，要求基区硼扩散的结深为2?m，方块电阻为200Ω/□；现采用两步扩散方式，试分别确定预淀积和再分布的温度和时间。 解: 思路：从已知条件入手: xj2= 2?m和R□2=200Ω/□ ①先利用xj2= 2?m和R□2=200Ω/□的关系计算出?2， 并利用? ~CS2的关系曲线查出CS2，再用xj2与CS2 和D(T2)的关系确定t2。 ②利用CS2和T2及t2计算出杂质剂量Q0，再根据Q0 与t1的关系求出t1。或者利用CS2与T2及t2和T1及t2 的关系，直接指定T1 再求出t1。 经验值：T1=800~1000℃,t1?10min;T21000℃,t2 ? 60min. 扩散层的电导率为： 由上式可知：当温度T2确定后，则 扩散系数D2(T2) 便可确定，从而扩散时间t2也可确定。 根据题意知： N型外延层的电阻率为0.4?· cm ； 查图ρ~CB知，当ρ = 0.4Ω ·cm时, CB = 1.2×1016cm-3 ； 由上式可知： 当T2、t2及T1确定后，则预沉积表面浓度CS1和扩散系数D1均可确定，从而扩散时间t1也可确定。 设T2=1180 ℃时，查图D~T可知： B的D2=1.5×10-12cm2/s; 所以，当T2=1180 ℃时，t2=18.4min。可见时间太短。