第三章 热生长二氧化硅膜2009课件.pptVIP

4.8　氧化层厚度测量方法 台阶法：腐蚀部分SiO2膜得到台阶，然后用电镜或显微镜观测得到膜厚。 光学法：包括椭偏光法和干涉法。 电学测量：包括电压击穿法和电容－电压法等。 4.9　氧化系统 高压氧化系统 普通氧化系统 氧化炉实物图 预清洗 装载硅片 氧化 N2退火 冷却 栅氧化步骤 在O2和HCl混合气氛中，1100 ℃下60分钟的氧化炉清洗，然后用N2吹扫，并降温到800 ℃。 在O2和N2混合气氛中装载硅片。 在O2和HCl混合气氛中，1000 ℃下进行氧化。 1050 ℃，N2下进行退火以减少氧化层固定电荷。 800 ℃以下再拉出硅片。 4.10　二氧化硅的扩散掩蔽作用 实现扩散掩蔽对杂质扩散系数的要求： 杂质在二氧化硅中的扩散系数要小； 杂质在硅中的扩散系数要大。 杂质镓和铝在二氧化硅中的扩散系数比在硅中大数百倍，而硼、磷、砷在二氧化硅中的扩散系数比在硅中小，所以二氧化硅可用于硼、磷、砷等杂质的扩散掩蔽，而不能用于镓、铝的扩散掩蔽。镓、铝可以采用氮化硅作为掩蔽膜。 4.11　硅的局部氧化（LOCOS）（local oxidation of silicon） 当需要在硅片上进行局部氧化时，一般用氮化硅作掩蔽膜，因为致密的氮化硅能阻挡氧和水。 由于硅氧化成二氧化硅后体积会膨胀，所以窗口会形成高度约为0.55tox的台阶，而Si3N4膜受上述台阶的影响会翘起，形成所谓的“鸟嘴效应”。为消除鸟嘴，可在局部氧化之前，先将窗口处的硅腐蚀掉，然后进行氧化。 习 题 在某个双极工艺中，为了隔离晶体管，需要生长1μm厚的场氧化层，由于考虑到杂质扩散和堆跺层错的形成，氧化必须在1050℃下进行。如果工艺是在一个大气压下的湿氧气氛中进行，计算所需要的氧化时间。假定抛物线速率系数与氧化气压成正比，分别计算在5和20个大气压下，氧化所需要的时间。（1个大气压下，B＝0.4μm2/h，B/A=2.4 μm/h）。 一块硅样品在1200℃下采用干氧氧化1小时，问：1）生长的氧化层有多厚？2）再在1200 ℃采用湿氧氧化生长0.1μm需要多长时间？ * （111）方向界面态多，所以MOS器件中多用（100）硅片 微电子工艺学 第三章　热生长二氧化硅膜 二氧化硅膜的用途： 作为掺杂的掩蔽膜； MIS栅介质膜； 介质隔离； 保护层或缓冲层。 SiO2 Si 4.1　二氧化硅膜的结构和性质 结构特点：长程无序，短程有序。 组成单元：硅氧四面体。 二氧化硅中也可能存在各种杂质，如氢氧根（替代氧）；硼、磷（替代硅）；钾、钠、钙、钡、铅、铝（填隙杂质），从而对其物理性质产生重要的影响。 Si O 硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为250埃。 如果需要得到更厚的氧化层，必须在氧气气氛中加热。 硅的氧化反应是发生在Si/SiO2界面，这是因为：Si在SiO2中的扩散系数比O的扩散系数小几个数量级。 4.2　二氧化硅膜的制备方法 制备二氧化硅膜的方法有：热生长氧化法、化学气相沉积等。但目前主要使用的还是热生长氧化法。 热生长氧化法优点：致密、纯度高、膜厚均匀等； 缺点：需要暴露的硅表面、生长速率低、需要高温。 热生长二氧化硅的方法 干氧法：硅和分子氧反应生成SiO2 特点：氧化速度慢，但氧化层致密。 水汽氧化：硅和水汽反应生成SiO2 特点：氧化速度快，但氧化层疏松。 湿氧法：硅同时和氧分子及水汽反应生成SiO2 特点：氧化速度介于干氧和水汽氧化之间。 4.3　迪尔－格罗夫氧化模型 J1 J2 J3 Cg Cs C0 Ci 自由气体层 Cg－离硅片表面较远处氧浓度； Cs－硅片表面处的氧浓度； Co－硅片表面氧化层中的氧浓度； Ci－在Si/SiO2界面处的氧浓度； hg－质量输运系数； D－是氧在SiO2中的扩散系数； Ks－是硅与氧反应生成SiO2的化学反应速率常数； H－是亨利气体常数； Pg－氧化炉内氧气的分压。 氧化层生长速率为： 其中N1是SiO2中氧原子浓度（4.4×1022 cm-3 ）除以氧源中氧原子数量。（比如以O2为氧源，则除以2；以H2O为氧源，则除以1） 边界条件：T＝0时刻氧化层厚度假设为t0，则有： 其中： 1、若氧化层厚度足够薄： 2、若氧化层厚度足够厚： 反应速率控制 扩散控制 B/A被称为线性速率系数；而B被称为抛物线速率系数 自然氧化层 迪尔－格罗夫模型在薄氧化层范围内不适用。 在薄氧化阶段，氧化速率非常快，其氧化机理至今仍然存在争议，但可以用经验公式来表示。 由于薄氧化阶段的特殊存在，迪尔－格罗夫模型需要用τ来修正。 硅（100）晶面干氧氧化速率与氧化层厚度的关系 薄氧阶段的经验公式 其中：tox为氧化层厚度；L1和L2是特征距离，C1和C2是比例常数。 硅的氧化系数 温度(℃