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第章 半导体二极管晶体管和场效应管
模拟电子技术 主讲:王忠友 第5章 半导体二极管、晶体管和场效应管 5.1 半导体的特性 5.2 半导体二极管 5.3 半导体三极管 5.4 场效应三极管 各种电子线路最重要的组成部分是半导体器件。本章讨论半导体的特性和PN结的单向导电性,然后分别介绍半导体二极管、稳压二极管、双极性三极管以及场效应管的结构、工作原理、特性曲线、主要参数和等效电路。 5.1 半导体的特性 自然界中的物质,依其导电能力的强弱,通常可分为3大类:导体、绝缘体和半导体。电阻率低于10-4Ω·cm的物质为导体,如铜、铝等。导体原子的最外层电子数目少,很容易摆脱原子核束缚而形成自由电子,在外电场作用下,这些自由电子将逆着电场方向作定向运动形成较大的电流,因此导体的导电能力强。 把在电场作用下,能运载电荷形成电流的带电粒子称为载流子,显然自由电子是一种载流子。电阻率高于109Ω·cm的物质为绝缘体,如云母、橡胶等,最外层电子数大多为8个的稳定结构,其原子核对最外层电子的束缚力很大,常温下能形成自由电子的数目很少,因此导电能力差。半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间,如硅、锗等。制造半导体器件的材料都要制成单晶体,如单晶硅或单晶锗,它们是由原子按一定的规则整齐地排列(空间点阵)而成的,由于这种半导体非常纯净,几乎不含杂质,结构又完整,所以称为本征半导体。 半导体的导电性能同样与其原子结构有关。硅和锗的原子结构有一个共同点,即都是四价元素,其原子的最外层电子数都是4个,原子的最外层电子通常称为价电子。价电子受核的束缚力最小,半导体的导电性能与价电子有关,内层电子与原子核构成稳定的惯性核,若用+4代表惯性核所具有的电荷量,则可以用图5.1表示硅或锗的简化原子结构模型。 硅或锗制成单晶体后,由于晶体中原子之间距离很近,价电子不仅受到其所属原子核的作用,还受到相邻原子的原子核的吸引,即一个价电子为相邻的两个原子核所共有。如图5.2所示,这样,相邻原子之间通过共有价电子的形式而紧密结合起来,即形成“共价键”结构。 5.1.1本征激发 本征半导体晶体原子间的共价键具有很强的结合力,在绝对零度(-237℃)时,价电子无法挣脱共价键的束缚,不能自由移动,所以共价键内的价电子又叫束缚电子,这样虽然有大量的价电子,但没有自由电子,此时,半导体不导电。 当温度上升或受光照时,价电子以热运动的形式不断从外界获得一定的能量,少数价电子因获得的能量较大,而挣脱共价键的束缚,成为自由电子,同时在原来的共价键的相应位置上留下一个空位,叫“空穴”,如图5.3的A处为空穴,B处为自由电子,显然,自由电子和空穴是成对出现的,所以称它们为电子—空穴对。把在光或热的作用下,本征半导体中产生电子—空穴对的现象,叫本征激发。 本征激发产生的自由电子将在电场的作用下定向运动形成电流,因此它构成本征半导体中的一种载流子——电子载流子。 那么当共价键中由于失去一个价电子而出现一个空穴时,如图5.3中A处,与其相邻的价电子很容易离开它所在的共价键填补到这个空穴中来,使该价电子原来所处的共价键中出现一个空穴,如图5.3中C处,这样空穴便从A处移至C处。 同样,又可从C处移至D处,因此,空穴似乎可以在半导体中自由移动,这实质上是价电子填补空穴的运动。在电场作用下,大量的价电子依次填补空穴的定向运动形成电流,为区别于自由电子的运动,把这种价电子填补空穴的运动叫“空穴运动”。通常认为空穴是一种带正电荷的载流子,它所带电量与电子相等,符号相反。那么为什么不说是价电子的运动,而说是空穴的运动呢?这是因为本征半导体的导电能力只取决于电子—空穴对的多少,而与其价电子的数目无关,只有少量的价电子在共价键中依次作填补运动才起导电作用。 可见,在本征半导体中存在两种载流子:带负电的自由电子和带正电的空穴。而金属导体中只有一种载流子——自由电子,这是二者的一个重要区别。在本征激发中,半导体中的电子—空穴对不断地产生,同时当它们相遇时又重新被共价键束缚,电子—空穴对消失,这种现象叫“复合”。在一定的温度下,激发和复合虽然不断地进行,但最终将处于动态平衡状态,半导体中的载流子浓度保持在某一定值。由于本征激发产生的电子—空穴对的数目很少,因此本征半导体的导电能力很弱。 5.1.2掺杂特性 在本征半导体中掺入少量的特殊元素,就构成杂质半导体。杂质半导体的导电能力大大增强,且掺入的杂质越多,其导电能力越强,这就是半导体的掺杂特性。当然,掺入的杂质是有严格控制的,根据掺入杂质化合价的不同,杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两大类。 1. N型半导体 在四价元素晶体中掺入微量的五价元素,如磷、砷、锑等。组成共价键时,多余的一个价电子处于共价键之外,束缚力较弱而成为自由电子,同时杂质原子变成带正电荷的离子。
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