第章 电子技术中常用半导体器件.ppt

（1）通过掺入杂质可明显地改变半导体的电导率。例如，室温30°C时，在纯净锗中掺入一亿分之一的杂质（称掺杂），其电导率会增加几百倍。 （2）温度可明显地改变半导体的电导率。利用这种热敏效应可制成热敏器件，但另一方面，热敏效应使半导体的热稳定性下降。因此，在半导体构成的电路中常采用温度补偿及稳定参数等措施。 （3）光照不仅可改变半导体的电导率，还可以产生电动势，这就是半导体的光电效应。利用光电效应可制成光敏电阻、光电晶体管、光电耦合器和光电池等。光电池已在空间技术中得到广泛的应用，为人类利用太阳能提供了广阔的前景。 由此可以看出：半导体不仅仅是电导率与导体有所不同，而且具备上述特有的性能，正是利用这些特性，使今天的半导体器件取得了举世瞩目的发展。 场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于晶体管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 场效应管是电压控制电流器件，场效应管栅极基本上不取电流，而晶体管工作时基极总要取一定的电流。所以在只允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管；而在允许取一定量电流时，选用晶体管进行放大可以得到比场效应管较高的电压放大倍数。 场效应管是多子导电，而晶体管则是既利用多子，又利用少子。由于少子的浓度易受温度、辐射等外界条件的影响，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化比较剧烈的情况下，选用场效应管比较合适。 场效应管的源极和衬底通常是连在一起时，源极和漏极可以互换使用，耗尽型绝缘栅型管的栅极电压可正可负，灵活性比晶体管强；而晶体管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大， 值将减小很多。 与双极型晶体管相比，场效应管的噪声系数较小，所以在低噪声放大器的前级通常选用场效应管，也可以选特制的低噪声晶体管。但总的来说，当信噪比是主要矛盾时，还应选用场效应管。 场效应管和晶体管都可以用于放大或可控开关，但场效应管还可以作为压控电阻使用，而且制造工艺便于集成化，具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因此在电子设备中得到广泛的应用。 学习与探讨 晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区的掺杂质浓度很高，集电区的掺杂质浓度较低，这样才使得发射极电流等于基极电流和集电极电流之和，如果互换作用显然不行。 晶体管的发射极 和集电极能否互 换使用？为什么? 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，UCEUBE，集电结也处于正偏，这时内电场大大削弱，这种情况下极不利于集电区收集从发射区到达基区的电子，因此在相同的基极电流IB时，集电极电流IC比放大状态下要小很多，可见饱和区下的电流放大倍数不再等于β。 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于β？ N型半导体中具有多数载流子电子，同时还有与电子数量相同的正离子及由本征激发的电子—空穴对，因此整块半导体中正负电荷数量相等，呈电中性而不带电。 为什么晶体管基区掺杂质浓度小？而且还要做得很薄？ 第31章 6.5 单极型三极管 单极型三极管只有一种载流子（多数载流子）参与导电而命名之。单极型三极管又是利用电场控制半导体中载流子运动的一种有源器件，因此又称之为场效应管。目前场效应管应用得最多的是以二氧化硅作为绝缘介质的金属—氧化物—半导体绝缘栅型场效应管，这种场效应管简称为CMOS管。 与双极型晶体管相比，单极型三极管除了具有双极型晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点外，还具有输入阻抗高、动态范围大、热稳定性能好、抗辐射能力强、制造工艺简单、便于集成等优点。近年来场效应管的发展得非常迅速，很多场合取代了双极型晶体管，特别时大规模集成电路，大都由场效应管构成。 场效应管 实物图 第32章 1. MOS管的基本结构 ?根据场效应管结构和工作原理的不同，一般可分为两大类：结型场效应管和绝缘栅场效应管。 结型场效应N沟道管结构图及电路图符号 结型场效应P沟道管结构图及电路图符号 第33章 绝缘栅型场效应管中，目前常用的是以二氧化硅SiO2作为金属铝栅极和半导体之间的绝缘层，简称MOS管。它有N沟道和P沟道两类，而每一类又分增强型和耗尽型两种。所谓增强型就是UGS＝0时，漏源之间没有导电沟道，即使在漏源之间加上一定范围内的电压，也没有漏极电流；反之，在UGS=0时，漏源之间存在有导电沟道的称为耗尽型。 左图是N沟道增强型MOS管的结构图：一块杂质浓度较低的P型硅片作为衬底B，在其中扩散两个N+区作为电极，分别称为源极S和漏极D。半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，在漏源极间的绝缘层上再制造一层金属铝，称为栅极G。这就构成了一个N沟道增强型MOS管。显然它的栅极与其它电极间是绝缘的。 栅极 漏极 源极 二氧化硅绝缘层 P型