In掺杂β-Zn4Sb3热电材料的制备与电热输运详解.PDF

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2017-06-21 发布于湖北
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In掺杂β-Zn4Sb3热电材料的制备与电热输运详解.PDF

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第 25 卷第 6 期无机材料学报 Vol. 25 No. 6 2010 年 6 月 Journal of Inorganic Materials Jun. , 2010 文章编号: 1000-324X(2010)06-0598-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2010.00598 In 掺杂β-Zn Sb 热电材料的制备与电热输运 4 3 马兵, 程苏丹, 赵文俞, 张清杰 (武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室, 武汉430070) 摘要: 设计了一系列名义组成为 Zn Sb In (0~0.08, Δx=0.02) 的 In 掺杂β-Zn Sb 基块体材料, 并用真空熔融−随炉 4 3-x x 4 3 冷却−放电等离子体烧结工艺成功制备出无裂纹的 In 掺杂单相β-Zn Sb 基块体材料. 300~700 K 内材料的电热输运 4 3 特性表明, In 杂质对 Zn4 Sb3 化合物的 Sb 位掺杂可导致载流子浓度和电导率大幅度增大、高温下本征激发几乎消失和晶格热导率显著降低, x=0.04 和 0.08 的Zn Sb In 的In 掺杂β-Zn Sb 化合物 700K 时晶格热导率均仅为0.21 W/(m·K). 4 3-x x 4 3 与纯β-Zn Sb 块体材料相比, 所有 In 掺杂β-Zn Sb 基块体材料的 ZT 值均显著增大, x=0.06 的 Zn Sb In 的 In 掺杂 4 3 4 3 4 3-x x β-Zn4 Sb3 基块体材料 700K 时 ZT 值达到 1.13, 提高了 69%. 关键词: 热电材料; β-Zn Sb ; In 掺杂; 电热输运 4 3 中图分类号: TB34 文献标识码: A Preparation and Thermoelectric Transport Properties of In-doping β-Zn Sb 4 3