SiC泡沫陶瓷材料的高温氧化行为.PDFVIP

第38卷 增刊3 稀有金属材料与工程 Vo1．38，Supp1．3 2009年 l2月 RAREMETALMATERIALSANDENGINEER1NG December2009 SiC泡沫陶瓷材料的高温氧化行为 郑传伟，杨振明，田 冲，曹晓明，张劲松 (中科院金属研究所，辽宁 沈阳 110016) 摘 要 ：采用可控熔渗反应烧结法制备具有宏观三维连通结卡句的 SiC泡沫陶瓷，研究了SiC泡沫在不同温度的氧气中 的氧化行为。结果表 明：住800～1300℃温度范围内，SiC泡沫陶瓷与块体 SiC陶瓷类似 ，其氧化动力学 曲线符合抛物 线规律，氧化过程受氧化剂在氧化膜rf1的扩散拧制，氧化膜结晶后材料的氧化速率显著降低。 关键词：SiC；泡沫陶瓷 ：氧化；结晶 中图法分类号：TB333 文献标识码 ：A 文章编号：1002．185X(2009)$3—289-04 SiC泡沫陶瓷材料具有优异的物理和机械性能， 每次氧化20h，升降温速率均为5℃／min。氧化在以 在航空航天、汽车工业、医用电子、生物化学及其他 硅钼棒作加热元件的刚玉管式炉中进行 。SiC 泡沫放 许多领域有着』泛‘的应用前景ll,2】。迄今为止 ，制备 置在 99．5％纯度的刚玉舟中。气氛为高纯干 O2，气体 SiC 陶瓷的方法丰要有无压烧结、热压烧结、反应烧 流速 100mL／min，压力 O．1MPa。管式炉和刚玉舟在 结、再结晶、化学气相沉积等。其中，反应烧结法以 实验前先在 1500℃焙烧 500h以降低杂质对氧化的 其烧结温度低、烧结时间短，易制备大尺寸、复杂形 影响。用感量为 lmg的电子天平称量样品的质量。 状部件等优点而具有潜在的应用价值。本研究采用改 将试样在纯氧气氛中以 10h的氧化时间在 1200 进的反应烧结法—～可控熔渗反应烧结法，克服了其 ℃循环氧化 5次，然后通入氩气在 1300℃退火处理 它 SiC泡沫陶瓷制备方法的不足，来制备试验用 SiC 100h，再在纯氧气氛中以10h的氧化时间在 1200℃ 泡沫材料。SiC块体氧化时表面生成致密的SiO2保护 循环氧化5次。氧化和退火的其他参数与前面相同。 膜，能在很高的温度下使用。然而 SiC泡沫高温氧化 用 $3400型SEM观察样品表面形貌，用 EDX分 仍是其失效的一一个重要因素。 析样品成分，用 D／max．2500PC型 X．ray粉末衍射仪 尽管人们对 SiC材料的高温氧化过程进行了很多 表征物相 。 研究，但主要集中在 SiC致密块 ～、SiC单晶[516】、SiC 2 结果与讨论 粉末[7-9]等方面，对 SiC泡沫材料的高温氧化研究较 少。本实验通过研究 SiC泡沫陶瓷在 800～1300 ℃的 2．1 SiC泡沫的筋结构 高温氧化动力学和氧化膜形貌，分析了材料在该温度 采用可控熔渗反应烧结法制备的SiC泡沫陶瓷主 下的氧化机制以及氧化膜结晶对氧化行为的影响。 要由SiC和 si两相组成 。添加的SiC颗粒通过后生成 的SiC相粘结而成，残余 Si填充于 SiC的间隙，起到 1 实 验 粘结作用。这种 SiC泡沫陶瓷具有三维连通的宏观孔 将市售 eiC微粉 (．SiC)、氨酚醛树脂、乙醇和 隙结构 (图la)，泡沫筋为Si芯 ／SiC／Si表面的3层夹 Si粉按 定比例混合成浆料。以聚氨酯泡沫塑料为骨