含F栅介质的击穿特性研究.PDFVIP

　第 19 卷第 10 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　 　　 . 19, . 10　 V o l N o 　1998 年 10 月　　　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S O ct 含 F 栅介质的击穿特性研究 张国强　郭　旗　余学锋　任迪远　严荣良 ( 中国科学院新疆物理研究所　乌鲁木齐　830011) 摘要　本文研究了M O S 结构击穿电压与极性和栅面积之间的相互依赖关系、栅介质中 F 离 子的引入对击穿电压的影响. 结果表明, 击穿电压受热电子贯穿方向制约; 栅面积与击穿电压 之间无明显依赖关系; 一定量的 F 离子引入栅介质对击穿电压大小不造成多大影响. 用一定 模型解释了实验结果. : 7340 ; 　 : 2560 , 2550 PACC Q EEACC R E 1　引言 电离辐射、热载流子损伤和栅介质击穿三个主要可靠性问题, 是短沟薄栅M O S 介质广 泛应用中不可避免的难题. 如何提高器件电路的可靠性, 已成为当今微电子领域, 特别是 航天和军事领域非常关注的课题. 近年来, 已经报道了栅介质中引入适量的F 离子, 可抑制电离辐射和热载流子对器件 [ 1～ 4 ] 电路的损伤 . 但含 F M O S 结构栅介质的击穿特性却较少报道. 栅介质在高场应力和高 电流注入作用后, 将出现电子从 Si 衬底或从电极贯穿进栅 SiO 2 层, 在一系列的碰撞电离 或陷阱产生或结构变化作用之后, 出现靠近电极的空穴俘获或电子俘获或低阻抗通道, 最 后导致电流很快增加并击穿栅介质. 研究这些击穿过程和击穿参数, 包括时间相关的的介质 击穿( , 简称 ) 、时间零击穿( T im e D ependen t D ielectric B reakdow n TDDB T im e Zero B reak , ) 、击穿电荷( ) 、击穿电压( ) 等, 可以考 dow n T ZB Charge to b reak Q bd V o ltage to b reak V bd 察栅介质的可靠性和稳定性, 从而为高可靠器件电路的制备提供理论指导. 本文报道了含 F M O S 薄栅介质的击穿电压特性, 结果显示出, 栅介质中用O 2 + N F 3 氧化方式引入 F 后, 对击穿电压的影响甚微. 2　样品的制备及实验 实验所用样品为 栅 衬底 电容, 制作在 17～ 2 3 · 的 衬底上, A l N M O S cm Si - 4 2 - 3 900 ℃干O 2 栅氧化, 栅氧层厚度为 10nm , 电容面积为三种: 1824 ×10 cm 、2 408 ×10