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2017-10-14 发布于湖北
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等离子体刻蚀工艺的物理基础.pdf

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等离子体刻蚀工艺的物理基础

* 戴忠玲毛明王友年 ( 116024) , ,, . , ,, ,, The physics of plasm a etching DAIZhongLing AO ing WANG YouNian (StateK ey Laboratory of M aterialsM odfi ication by Laser, Electron, and Ion Beams, Dep artment of Physics, Dalian University of Technolo y, D alian 116024, China) A bstract Thebackground and progress in the development ofplasma etching processes are reviewed. Studies of themechanism of capacitively- and inductively- coupled discharges are discussed, especially the key prob lemsofdual frequency capacitively- coupled discharge and plasma sheaths. K eyw ords plasma, etching, capacitivelycoupled discharge, inductivelycoupled discharge, dual frequency, sheath 1 引言 ( 1),. , ,, , * * * * ( Cl , Cl , F , CF ). 2 . , , , , ., , , , , , . . , , 0. 1m,