电磁透镜原理.PPT

Transmission Electron Microscope 穿透式電子顯微鏡 指導老師：吳坤憲 教授 學生：葉家彰 張凱鈞 前言 將物體放大看看能看見什麼?為了要滿足人類欲望所以一開始人類就發明了光學顯微鏡。人的眼睛大約可以看到大約0.2ｍｍ大小的東西，而光學顯微鏡就是利用許多透鏡的組合來將物體放大，但因為光學顯微鏡是利用光照明，它的構造的識別能力不夠好。比光波長還小的東西就不能被觀察。 為了要突破這個問題於1933年發明第一架實用電子的微鏡由德國Ruska的發明家，主要差別是以電磁波取代光波，以電磁鏡取代光學透鏡。也就是利用電子槍來取代照明光。它不但可以看的比光學顯微鏡更小的東西，甚至現在連原子的排列都可以清楚的觀察的到。 TEM之工作原理 當電子穿過物質時，受到物質內部結構或化學元素組成的影響，有些電子會改變路徑，有些電子不受影響，繼續前進；由於這些電子行為的差異，而形成穿透式電子顯微鏡影像 各種顯微鏡之比較 TEM之種類 (1)傳統式穿透式電子顯微鏡（CTEM，conventional TEM） (2)高解像穿透式電子顯微鏡（HRTEM，High-Resolution） 傳統之TEM顯微鏡成像主要是利用穿透式電子束或是繞射電子束成像，此種影像主要源自於振幅對比（Amplitude Contrast）。 高解像穿透式電子顯微鏡成像是利用穿透電子束與繞射電子交互干涉而成週期性條紋或是晶格影像。 TEM之構造 主體(main body) 鏡柱、控制鍵鈕 真空系統(vacuum system) 電路系統(electronic system) TEM 鏡柱構造 1.照明系統 2.呈像系統 3.試片基座 4.影像轉換系統 電子槍原理 電子槍的構造，陰極為一V字形鎢絲稱為燈絲(filament)，外圍有一威氏罩(Wehnelt cap)，燈絲在加熱會有大量的電子自尖端釋出。通常我們提供燈絲約-60KV至-100KV之電壓以加速電子，並使威氏罩較燈絲更負100~500V讓電子聚成一電子束交叉(gun crossover)，並經由威氏罩上之小孔而穿過陽極進入聚光鏡。 成像系統 成像電磁透鏡系統可分靜電透鏡及磁透鏡兩類。靜電透鏡因像差較大，且有高壓定性的問題，現已少用。 磁透鏡一般為三段式，即分為： 1.物鏡 (objective lens) 2.中間鏡 (intermediate lens) 3.投影鏡 (projective lens) 電磁透鏡原理 通電的短線圈就是一個簡單的電磁透鏡，它能造成一種軸對稱不均勻分佈的磁場。穿透線圈的電子在磁場的作用下，將做圓錐螺旋近軸運動。而一束平行於主軸的入射電子通過電磁透鏡時將被聚焦在主軸的某一點。 影像轉換系統 螢光板(fluorescent screen)： 其表面塗有含鉛與鎘的硫化物顆粒，當電子撞擊其上時會產生肉眼可見光線，通常電子顯微鏡可加裝一組光學透鏡將螢光板上之影像再予放大，以便於精確對焦。 相機(camera)： 底片必須經過顯影、定影等過程沖洗呈負片，在經由暗房技術沖印成相片以便於判圖及發表。 電子成像的繞射對比 穿透式電子顯微鏡分析時，是利用電子成像的繞射對比 (Diffraction Contrast)，作成明視野 (Bright Field, BF) 或暗視野 (Dark Field, DF) 影像，並配合繞射圖樣來進行觀察。 解像能 穿透式電子顯微鏡的解像能主要與電子的加速電壓 (亦即波長) 和像差(Aberration) 有關。 加速電壓愈高，波長愈短，解析度也愈佳，同時因電子動能增高，電子對試片的穿透力也增加，所以試片可觀察的厚度也能相對增加。 像差 影響解像能的因素是像差，像差的來源大致有四種： (1) 繞射像差 (Diffraction Aberration) (2) 球面像差 (Spherical Aberration) ? (3) 色像差 (Chromatic Aberration) (4) 波長散佈像差 (Chromatic Aberration) 繞射像差 由物理光學之Rayleigh準則： △rd=0.16λ/α 其中λ微電子波長，α微透鏡對試片上一點所張角之半角。 球面像差 球面像差為物鏡中主要缺陷，不易矯正，球面像差的產生是由於經過透鏡外緣與中心之電子偏折角度不同，因而聚集在不同的焦點上形成一最小模糊圈。 色像差