单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅生长影响的优化模拟.pdfVIP

人工晶体学报 第39 卷第2 期 Vol. 39 No.2 2010 年4 月 JOURNAL OF SYNTHETlC CRYSTALS 旦出坦 单晶炉导流筒、热屏及炭毡对单晶硅 生长影晌的优化模拟 苏文佳1 ，左然1 ,Vladimir Kalaev2 (1.江苏大学能源与动力工程学院，镇江 212013;2. STR Group , St. P，刷刷吨，跳出sía) 摘要:在 CZ 法生长太阳能级单晶硅中，单晶炉的导流筒、热屏和炭毡对晶体生长有很大影响。通过对上述三个部 件进行改进优化，并通过数值模拟对优化前后晶体和熔体的热场、热屏外表面与石英士甘桐内赞丽之间的氧气流场 以及晶体中的热服力进行分析，得出以下结论:石器导流筒的引人减少了炉体上部的氯气流动涡胞，进而减少了 Si。在单晶炉上部的沉和:优化后的热屏减少了加热器对晶体的烘烤，使结晶速率加快:优化后的侧壁炭毡阻止了 加热器向上部的热损失。优化盾在加炜器功挺不变时，结晶迷惑至少可提高35% .而不增加宏观位错的发生概率。 关键询:且在晶磁;数值模拟;热屏;炭毡 中图分类号:078 文献标i只码:A 文章编号:1α)()幽985X( 2010 )02-0524-05 Optimization of Crystal Growth by Changes of Flow Guide , Radiation Shield and Insulation in CZ Si Furnace SU We时阳I , ZUO Ran 1 , Vladimir KaZ脚， 2 ( 1. School of Energy and Power Engíneering , J阳ψu Universíty , Jiangsu 212013 , Chína; 2. STR Group , 5t. P，耐rsb吨， Russia) (Recei时7 July 2酬，幽:epted 15 句tem加2酬) Abstract :In 白。lar-grade single crystal growth with CZ method , the geometries of flow guide , radiation shield and side wall insulation are main parameters affecting the heat fields and crystal growth. By changing the above parameters , an optimization of the heat fields was attempted. Numerical simulations of the thermal fields before and after optimization were conducted. Through analysis of the temperature distribution in the crystal and melt , the argon gas flow between radiation shield and 叩1町tz crucible , and the