应用于片上ESD防护中新式直通型MOS触发SCR器件的研究.pdfVIP

第 33卷 第3期 固体电子学研究与进展 VoI．33，No．3 2013年6月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Jun．，2013 硅微电子学 、 c 应用于片上ESD防护中新式直通型MOS触发 SCR器件的研究 郑剑锋 马 飞 韩 雁 梁海莲 董树荣 吴 健 (浙江大学微 电子与光 电子研究所 ，杭州 ，310027) 2012—12—10收稿 ，2013—01—07收改稿 摘要：在基于0．13 mCMOS工艺制程下，为研究片上集成 电路ESD保护，对新式直通型MOS触发SCR器件 和传统非直通型MOS触发SCR进行了流片验证，并对该结构各类特性进行了具体研究分析。实验采用TLP(传输 线脉冲)对两类器件进行测试验证，发现新式直通型MOS触发SCR结构要比传统非直通型MOS触发SCR具有更 低的触发电压、更小的导通电阻、更好的开启效率以及更高的失效电流。 关键词 ：静电防护 ；可控硅整流器 ；嵌入金属氧化物半导体场效应 晶体管触发 中图分类号：TN386．2 文献标识码 ：A 文章编号：1000—3819(2013)03-0294-06 A NovelStraightthrOugh—M OS-triggeredSCR foron—chip ESD Protection ZHENGJianfeng MAFei HANYan LIANGHailian DONGShurong WU Jian (InstituteofMicroelectronics photoelectronics，ZhejiangUniversity，Hangzhou，310027，CHN) Abstract：A novelstraightthrough—MOS—triggeredsilicon controlledrectifier(STSCR)and conventionalMOS—-triggeredSCR(TSCR)foron——chipelectrostaticdischarge(ESD)protectionare verifiedina0．13 m CMOSprocess．TLP(Transmission—line—pulsingsystem)testingresultsfor thesetwostructuresshow thatthenovelstraightthrough—MOS—triggeredSCR structurepossesses alowertriggervoltage，asmallerturn—onresistance，afasterturn—onefficiencyandahigherfail— ure current． Keywords：electrostaticdischarge (ESD)；silicon controlled rectifier(SCR)；embedded— MOSFET trigger EEACC：256OR 双二极管防护策略的有效性渐渐相形见拙I1]。比 士 丘 如，当1／0 口遭受到一个 PS模式 (I／O 口打一个正 向脉冲向地)的ESD脉冲，ESD 电流必须从一个二 在CMOS集成 电路制造过程 中，尤其在深亚微 极管、电源轨箝位器件以及 电流通路上的电源线 电 米工艺制程中，静 电放电(ESD)事件俨然 已经成为 阻这条通路来泄放，很有可能