总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究.pdfVIP

物 理学报 ActaPhys．Sin．Vo1．62。No．11(2014) 116101 总剂量辐射环境中的静态随机存储器 功能失效模式研究 郑齐文 )2)3) 余学峰1)2)t 崔江维 )2) 郭旗 )2) 任迪远 )2) 丛忠超 )2)3) 1)(中国科学院新疆理化技术研究所，乌鲁木齐 830011) 2)(新疆电子信息材料与器件重点实验室，乌鲁木齐 830011) 3)(中国科学院大学，北京 100049) (2012年 12月30日收到；2013年 1月30日收到修改稿) 本文对静态随机存储器 (SRAM)总剂量辐射引起的功能失效进行了六种不同测试图形下的测试．利用不同测 试图形覆盖的出错模式不同，通过对比一定累积剂量下同一器件不同测试图形测试结果的差异，以及对失效存储单 元单独进行测试，研究了总剂量辐照引起的SRAM 器件功能失效模式．研究表明：器件的功能失效模式为数据保存 错误 (Dataretentionfault)且数据保存时间具有离散性，引起数据保存错误的SRAM 功能模块为存储单元．通过对存 储单元建立简化的等效电路图，分析了造成存储单元数据保存错误以及保存时间离散性的原因，并讨论了该失效模 式对 SRAM总剂量辐射功能测试方法的影响． 关键词：静态随机存储器，功能失效，测试图形，数据保存错误 PACS：61．80．Ed，61．82．Fk，85．30．TV，O7．85．一m DOI：10．7498／aps．62．116101 上表现为随着总剂量辐射静态功耗电流增加，累积 到一定剂量器件功能失效 引【． 1引 言 目前关于 SRAM 总剂量功能失效的研究大部 静态随机存储器是数字处理、信息处理、自 分集 中在物理层面，少有在 电路级别关于失效模式 动控制设备中重要组成部件，被广泛应用到航天器 的探讨，且对不同工艺及 电路结构的器件采用不同 和卫星的控制系统中 l【】_空间辐射环境中的带电 的实验方法得出了不同的结论 [10-12】． 粒子 (如电子、质子与带 电重粒子)和宇宙射线会 实际上，由于 SRAM 器件 内部 电路结构复杂， 对SRAM器件造成辐射损伤，引起诸如数据存取速 宏观 电参数的测试结果很难体现器件 内部的损伤 率、噪声容限、功耗电流等特性参数的剧烈变化， 信息，使得 目前对总剂量辐照引起的SRAM功能失 甚至造成数据错误或功能完全失效，严重威胁航天 效模式的认识依然不是十分清晰．首先 SRAM 功 器工作的可靠性和安全性 -2J．因此，研究SRAM器 能失效模式可为存储单元固定错误 (Stuck—atfault)， 件的辐射效应具有重要现实意义和必要性． 存储单元转变错误 (Transitionfault)，多个存储单元 自上世纪70年代起，国内外针对 SRAM 的 的耦合错误 (Couplingfault)，以及译码器错误 (Ad— 总剂量辐射效应开展了大量研究 3[-9]．目前关于 dressfault)等 [131．目前在 SRAM 的总剂量辐射效 SRAM 总剂量辐射损伤机理的基本认识是：辐射在 应测试中，多数实验通过遍历地址写入读取固定 栅氧化物和隔离氧化物中引入的氧化物陷阱电荷 数据的功能测试方法来判断SRAM 功能是否正 及界面陷阱电荷引起晶体管阈值电压漂移及漏 电， 常 [4-9]，但写入读取固定数据的功能测试只能覆盖 积累到一定程度造成SRAM功能失效，在参数测试