纳米SiO2浆料中半导体硅片的化学机械抛光速率及抛光机理-硅酸盐学报.pdfVIP

第36 卷第8 期 付 略等：基于最小二乘支持向量机算法的南宋官窑出土瓷片分类 · 1187 · 第36 卷第8 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 36 ，No. 8 2 0 0 8 年 8 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY August ，2008 纳米SiO2 浆料中半导体硅片的化学机械抛光速率及抛光机理 宋晓岚，刘宏燕，杨海平，张晓伟，徐大余，邱冠周 ( 中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系，长沙 410083) 摘 要：采用电化学方法，研究了SiO 浆料pH 值、H O 浓度、固体含量以及抛光转速、压力和时间等不同抛光工艺参数对n 型半导体单晶硅片(100) 2 2 2 和(111) 晶面化学机械抛光(chemical mechanical polishing，CMP)去除速率的影响和作用机理。结果表明：抛光速率随SiO2 固体含量、抛光转速及压力 的增加而增大，随抛光时间的增加而减小；在pH 值为 10.5 和H O 为1%(体积分数) 时，抛光速率出现最大值；相同抛光工艺条件下(100) 晶面的抛光 2 2 速率远大于(111) 晶面。半导体硅片CMP 过程是按照成膜(化学腐蚀作用)→去膜(机械磨削作用)→再成膜→再去膜的方式进行，直到最终全局平坦化。 实验所获得适合n 型半导体硅片CMP 的优化工艺参数为：5%～10% SiO (质量分数) ，pH=10.5 ，1%H O ，压力为40 kPa 及(110) 晶面和(111) 晶面的抛 2 2 2 光转速分别为100r/min 和200 r/min ；在该条件下10% SiO 浆料中抛光30 min 得到的抛光硅片的表面粗糙度为0.7 nm 左右。 2 关键词：化学机械抛光；电化学方法；单晶硅片；纳米二氧化硅浆料；抛光速率 中图分类号：TB383 文献标识码：A 文章编号：0454–5648(2008)08–1187–08 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING REMOVAL RATE AND MECHANISM OF SEMICONDUCTOR SILICON WITH NANO-SiO2 SLURRIES SONG Xiaolan ，LIU Hongyan ，YANG Haiping，ZHANG Xiaowei ，XU Dayu ，QIU Guanzhou (Department of Inorganic Materials, School of Minerals Processing and Bioengineering, Central South University, Changsha 410083, China) Abstract: The effects of different process parameters including the pH value, H O conce